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150v n沟道 文章 进入150v n沟道技术社区

东芝电子元件及存储装置发布150V N沟道功率MOSFET

  • 东芝电子元件及存储装置株式会社(Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation,简称“东芝”)推出了150V N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)“TPH9R00CQH”。该产品采用最新一代(*1)工艺“U-MOSX-H”,适用于工业设备的开关电源,包括部署在数据中心和通信基站的设备。3月31日开始出货。TPH9R00CQH的漏极-源极导通电阻比TPH1500CNH低大约42%,后者是一款采用了当前U-MOSVIII-H工艺的15
  • 关键字: 东芝  150V N沟道  功率MOSFET  

ROHM确立栅极耐压8V的150V GaN HEMT量产体制

  • 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)已确立150V耐压GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量产体制,该系列产品的栅极耐压(栅极-源极间额定电压)*2高达8V,非常适用于基站、数据中心等工业设备和各种物联网通信设备的电源电路。一般而言,GaN器件具有优异的低导通电阻和高速开关性能,因而作为有助于降低各种电源的功耗和实现外围元器件小型化的器件被寄予厚望。但其栅极耐压很低,在开关工作时的器件可靠性方面存在问题。针对这一课题,ROHM的新产品通过采用自有的结构,成功
  • 关键字: ROHM  150V  GaN  HEMT  

Vishay推出新款共漏极双N沟道60 V MOSFET,提高功率密度和效率

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小型热增强型PowerPAK 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件,专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60
  • 关键字: MOSFET  N沟道  

MSO管扫盲文,告诉你N沟道和P沟道简单的判断方法

  •   1、MSO的三个极怎么判定:  MOS管符号上的三个脚的辨认要抓住关键地方。  G极,不用说比较好认。  S极,  不论是P沟道还是N沟道,  两根线相交的就是;  D极,  不论是P沟道还是N沟道,  是单独引线的那边。  2、他们是N沟道还是P沟道?  三个脚的极性判断完后,接下就该判断是P沟道还是N沟道了:  当然也可以先判断沟道类型,再判断三个脚极性。  先判断是什么沟道,再判断三个脚极性。  3、寄生二极管的方向如何判定?  接下来,是寄生二极管的方向判断:  它的判断规则就是:  N沟道,
  • 关键字: MSO管  N沟道  P沟道  

飞兆推出一款低侧高双功率芯片非对称N沟道模块

  • 随着功率需求增加以便为高密度嵌入式DC-DC电源提供更多的功能,电源工程师面临着在较小的线路板空间提供更高功率密度和更高效率的挑战。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 因而推出一款25V、3.3x3.3mm2低侧高双功率芯片非对称N沟道模块 FDPC8011S,帮助设计人员应对这一系统挑战。
  • 关键字: 飞兆  MOSFET  FDPC8011S  N沟道  
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