IT之家 4 月 23 日消息，铠侠今日宣布出样最新一代 UFS 4.0 闪存芯片，提供 256GB、512GB、1TB 容量可选，专为包括高端智能手机在内的下一代移动应用打造。256GB：THGJFMT1E45BATV，封装尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm512GB：THGJFMT2E46BATV，封装尺寸 9.0 x 13.0 x 0.8mm1TB：THGJFMT3E86BATZ，封
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铠侠 UFS 4.0 闪存芯片
月5日，西部数据宣布，在NAND Flash业务拆分后，将保留原名，专注经营核心HDD业务，并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时，将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。西部数据称，现任西部数据全球运营执行副总裁 Irving Tan 将出任剩下的独立 HDD公司的CEO，继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司，出任新公司执行长。图片来源：西部数据西部数据与铠侠合并进展如何？据悉，自2021年以来，西部数据及
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根西数和铠侠的报告，这两家工厂可能会造成多达16EB的闪存被浪费，影响到本季度闪存市场10%的份额。不光近期准备发布新品的苹果公司收到了影响，原本芯片就很紧缺，加上现在又出现闪存污染的问题，对于那些依赖西部数据和铠侠闪存的厂商来说，更是巨大的打击，就包括了微软、索尼、谷歌等知名厂商。加上相关事件引发市场恐慌，已有消息称群联第一时间调涨模组报价15%，其它厂商则暂停报价。然而在这方面，也并不全是坏消息，竞争对手三星、海力士和美光这几个巨头，会从此类事件受益。其中SK海力士和美光的股价，在盘后交易中应声上涨了
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日前铠侠及西数位于日本的NAND闪存工厂爆发污染事故，导致6.5EB容量的闪存芯片受到影响，这一黑天鹅事件给全球闪存行业带来了不确定性，原本价格还在下滑，但是最新预测称Q2季度闪存价格将会转向上涨5-10%。来自集邦科技的分析认为，原本NAND闪存全年都有微幅的供过于求压力，今年上半年价格都有下滑压力，但是现在的情况变了，1月份三星位于西安的工厂受到疫情影响，2月份这又曝出铠侠、西数闪存芯片受污染的事故。集邦科技认为在当前的情况下，Q1季度闪存芯片价格跌幅会收窄到5-10%，而Q2季度价格则会反转，变成涨
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一期投资70亿美元的三星(中国)半导体有限公司9日举行竣工典礼，标志其世界领先的高端闪存芯片正式量产，西安也有望成为全球电子信息技术领先的生产研发基地。陕西省委书记赵正永、省长娄勤俭，国家工业和信息化部部长苗圩、韩国驻中国大使权宁世，三星电子首席执行官权五铉等出席了竣工典礼。
三星(中国)半导体2012年9月开工，被称为中国改革开放以来单笔投资最大的外商投资高科技项目，也是三星迄今为止最大的一笔海外投资。整个项目园区占地约114万平方米，总建筑面积约23万平方米，将生产目前最先进的10纳米级NA
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6月29日至30日，韩国总统朴槿惠在国事访问期间到访西安，并莅临三星项目工地视察。日前，三星(中国)半导体有限公司在接受本报记者独家专访时表示，朴槿惠总统的莅临令三星集团以及西安项目建设团队备受鼓舞，三星将做好本职工作,生产出最先进的产品,为陕西和西安的经济发展作出贡献,回报关心和支持三星项目的陕西和西安人民。
总统提出殷切期望
朴槿惠总统是历史上首次访问西安的韩国总统。“朴槿惠总统视察三星项目后表示，希望三星西安项目的成功建设能够促进中国西部大开发战略发展，并将中国和韩国推向
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根据行业观察家表示，受智能手机和平板电脑强劲需求推动，64GB NAND闪存市场一直在增长，高密度芯片价格高居不下，反映当前供不应求市场状况。
智能手机和平板电脑市场对NAND芯片需求旺盛，也对现货市场上的芯片供应带来了负面的影响，即NAND闪存芯片厂商优先供应系统制造商表示，许多下游模块厂和渠道分销商已经无力获得稳定的供货。
供应紧张状况，鼓励芯片企业优先考虑高利润的订单，比如为智能手机提供容量高达64GB的NAND闪存芯片，并且获利高于功能手机和其他消费电子产品。
有消息表示，目
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据路透社报道，东芝表示，受日元走强和欧债危机导致的需求量下滑等因素影响，其上一财年营业利润下降14%。
东芝周二表示，截止3月31日，其年度营业利润下降至2066.5亿日元(约合26亿美元)。这一数据比汤森路透I/B/E/S对22位分析师调查得到的2087亿日元的结果略小。
东芝称，市场对于电视机和个人电脑的需求量仍然萎靡，但苹果对其生产的闪存芯片的需求在持续上升。
东芝预测，由于苹果iPhone和iPad的畅销，其营业利润在本财年将上升45%，达到3000亿日元。
汤森路透I
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行业领先的并行和串行NOR闪存芯片供应商Spansion公司(纽约证交所代码：CODE)，日前宣布已经开始批量生产512 Mb Spansion® FL-S串行(SPI) NOR闪存，该芯片是业界单颗裸片最高容量的串行闪存方案。Spansion FL-S系列产品容量涵盖128Mb至1Gb，具有比同类竞争产品快三倍的业界领先编程速度和快20%的双倍数据读取速率(DDR)。速度的提升在诸多的嵌入式应用中极大地提高了用户体验，例如汽车组合仪表盘和信息娱乐系统、工业和医疗图形显示以及家用网关和机顶盒。
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新华网西安3月22日电(记者陈钢 姜辰蓉)记者22日从西安高新技术产业开发区获悉，韩国三星电子公司当日宣布，其拟在中国大陆建设的闪存芯片项目已经选址西安市。
陕西省、西安市相关方面与三星电子公司22日在西安进行的工作会谈中，三星电子常务金秀峰表示，三星电子考虑在西安建设的存储器研发和生产工厂，将采用世界最领先的技术，第一步投资70亿美元，计划2013年底投产。
西安是我国重要的新一代信息技术生产和研发基地，三星电子闪存芯片项目计划在西安南郊的国家级西安高新技术产业开发区建设。
据介绍
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东芝周四表示，该公司已经与闪存技术开发商SanDisk共同研发出全球最小的128Gbit(16GB)NAND闪存芯片。
该闪存芯片采用19nm新工艺，大小为170平方毫米，比一枚普通硬币还小。
该闪存芯片运用3-bit-per-cell存储技术。该存储技术虽然比2-bits-per-cell存储技术更为高效，但存在稳定性不强的问题。这也意味着该闪存芯片将首先用于记忆棒和记忆卡。
据悉，作为苹果等公司主要供应商的东芝将于本月开始生产这种闪存芯片。
随着芯片生产商争相追逐更小的芯片
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三星电子公司(SamsungElectronicsCo)拟在中国大陆投资建闪存芯片厂的计划已经得到韩国知识经济部(MinistryofKnowledgeEconomy)的批准，最快有望在未来六个月内动工开建。在中国大陆建闪存芯片厂将加强三星公司在中国电子市场上的地位，预计未来几年内中国将超过美国成为全球最大的消费电子市场。
闪存芯片是一种移动存储产品，广泛应用于音乐播放器、智能手机和平板电脑中。三星公司计划在中国生产的是NAND型闪存芯片，主要用于固态硬盘和大容量数码存储卡。韩国知识经济部在周三
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1月4日道琼斯报道说，三星电子公司(Samsung Electronics Co)拟在中国大陆投资建闪存芯片厂的计划已经得到韩国知识经济部(Ministry of Knowledge Economy )的批准，最快有望在未来六个月内动工开建。在中国大陆建闪存芯片厂将加强三星公司在中国电子市场上的地位，预计未来几年内中国将超过美国成为全球最大的消费电子市场。
闪存芯片是一种移动存储产品，广泛应用于音乐播放器、智能手机和平板电脑中。三星公司计划在中国生产的是NAND型闪存芯片，主要用于固态硬盘和大容
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三星电子今日宣称，由于智能手机和平板电脑的热销将会继续推动芯片行业的发展，该公司计划在中国设立一家闪存芯片生产厂。韩国分析师估计，三星可能会投资40亿美元左右来兴建该厂。这个生产厂，如果获得批准，将是三星在国际上设立的第二个芯片生产厂，这也反映出中国市场已变得越来越重要了。作为全球顶级内存芯片和平面显示屏生产商，三星还计划在中国设立一个平面显示屏生产基地。
目前，三星在国际上设立的唯一一个芯片生产厂位于美国德克萨斯州奥斯丁市。
这个新的生产线“将使我们能够满足消费者日益增长的需
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受到诸多全球总体经济复苏的不确定变数干扰，2011部份的NAND Flash终端应用产品出货量将不如预期，及3Q11受过剩库存去化影响而使传统备货旺季效应递延等因素的综合影响下，8月上旬NANDFlash芯片市场买气依然疲弱，但某些系统客户的OEM订单需求相对于记忆卡及UFD通路市场需求仍相对地稳定，因此，MLCNAND Flash芯片合约均价小跌约1-2%，而TLCNAND Flash芯片合约均价则下跌约4-7%。
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闪存芯片介绍
闪存芯片 目录
闪存芯片简介闪存介绍
闪存的分类
闪存的速度其实很有限
NAND型闪存的技术特点擦除操作
寻址
决定NAND型闪存的因素1．页数量
2．页容量
3．块容量
4．I/O位宽
5．频率
6．制造工艺
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