- 案例聚焦新一代替代硅技术 (加利福尼亚州，埃尔塞贡多）-- 氮化镓（GaN）技术的全球领导者宜普电源转换公司（Efficient
Power Conversion Corporation, EPC，以下简称宜普公司）于今日向美国联邦法院和美国国际
贸易委员会（U.S. International Trade Commission, ITC）提起诉讼，主张其基础专利组合中的
四项专利受到英诺赛科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下统称英诺赛科）侵犯。 这些专利
涉及宜普公司独家的增强型氮化
- 关键字：
宜普电源 EPC 英诺赛科 氮化镓 GaN
- 据看看新闻网报道，目前，英诺赛科（苏州）半导体有限公司项目主体施工已经完成。资料显示，英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币，注册资本20亿元，占地368.6亩，主要建设从器件设计，驱动IC设计开发，材料制造，器件制备，后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。据规划，项目开工后两年内投产，投产后三年实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标，年销售收入约
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英诺赛科 宽禁带半导体
英诺赛科介绍
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