英诺赛科 文章
- 据看看新闻网报道,目前,英诺赛科(苏州)半导体有限公司项目主体施工已经完成。资料显示,英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币,注册资本20亿元,占地368.6亩,主要建设从器件设计,驱动IC设计开发,材料制造,器件制备,后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。据规划,项目开工后两年内投产,投产后三年实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标,年销售收入约
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英诺赛科 宽禁带半导体
英诺赛科介绍
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