- 案例聚焦新一代替代硅技术 (加利福尼亚州,埃尔塞贡多)-- 氮化镓(GaN)技术的全球领导者宜普电源转换公司(Efficient
Power Conversion Corporation, EPC,以下简称宜普公司)于今日向美国联邦法院和美国国际
贸易委员会(U.S. International Trade Commission, ITC)提起诉讼,主张其基础专利组合中的
四项专利受到英诺赛科(珠海)科技有限公司及其子公司(以下统称英诺赛科)侵犯。 这些专利
涉及宜普公司独家的增强型氮化
- 关键字:
宜普电源 EPC 英诺赛科 氮化镓 GaN
- 据看看新闻网报道,目前,英诺赛科(苏州)半导体有限公司项目主体施工已经完成。资料显示,英诺赛科宽禁带半导体项目总投资68.55亿元人民币,注册资本20亿元,占地368.6亩,主要建设从器件设计,驱动IC设计开发,材料制造,器件制备,后段高端封测以及模块加工的全产业链宽禁带半导体器件制造平台。建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。据规划,项目开工后两年内投产,投产后三年实现年产78万片功率控制电路及半导体电力电子器件的总目标,年销售收入约
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英诺赛科 宽禁带半导体
英诺赛科介绍
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