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瑞萨科技 文章 进入瑞萨科技技术社区

UbiNetics公司和瑞萨科技宣布联合开发HSDPA RF解决方案

  • UbiNetics公司和瑞萨科技公司签署协议,开发第一个射频(RF)解决方案,可以支持日本、欧洲和美国使用频段内的WCDMA和 HSDPA*。由UbiNetics公司和瑞萨科技联合开发的新型RF解决方案,将是一个完整的双模RF子系统,包括RFIC、功率放大器、SAW双工器和DC/DC变换器。它将在欧洲、美国和日本使用的800 MHz、1900 MHz 和2100 MHz频段内支持WCDMA 和HSDPA,可以与瑞萨科技的四频段(850,900,1800,1900MHz) GSM/GPRS/EDGE 解决方
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瑞萨科技推出用于BD盘的M64030FP蓝色激光二极管驱动器

  • 瑞萨科技公司宣布推出 M64030FP型激光二极管驱动器,用于 BD盘(Blu-ray盘)*1 。样品将于2004年12月开始在日本提供。 M64030FP是驱动蓝色激光二极管的集成电路,它具有以下特点。(1)转换速度高*2M64030FP的转换速度高达 0.8 纳秒或者更快(这是瑞萨科技公司测量的数据)。转换速度之所以这幺高,是由于纳入了新研制出来的波形校正电路。与瑞萨科技没有包含波形校正电路的型号比较,M64030FP的转换速度提高了接近50 %,因而可以实现稳定的写入性能。(2)由于芯片上纳入了 W
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瑞萨科技发布“aacPlus解码中间设备”,作为SH-Mobile应用处理器软件

  • 瑞萨科技公司宣布开发出称为“aacPlus解码中间设备”的软件,支持aacPlus*1音频编码技术,可以提供高质量的声音,用于使用SH-Mobile*2应用处理器的移动电话系统的多媒体应用开发。在2004年11月20日,将在日本开始销售aacPlus解码中间设备。这种新型中间设备提供下面的特性。(1) 为aacPlus应用提供开发解决方案在具有SH-Mobile应用处理器的移动电话系统中使用aacPlus,这种新型中间设备将简化进行音乐数据传送、具有音频的视频、以及类似服务的应用的开发。因此,a
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瑞萨科技在越南扩大系统LSI设计的活动

  • 瑞萨科技公司宣布旗下新的半导体设计公司瑞萨设计越南股份有限公司(Renesas Design Viet Nam Co., Ltd,简称 RVC)已经开始运作,以加强公司在全球系统解决方案方面的设计能力。这家公司的投入运作与在胡志明市理工大学(简称HCMUT)开设半导体设计的课程是同时开始的,胡志明市理工大学将进一步在越南培养半导体工程师以及发展 LSI技术。 瑞萨科技一直注重发展它的系统解决方案业务,尤其是移动、汽车以及个人电脑/音像设备这三个主要市场。先进的系统LSI设计需要设计方面的专业知识
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瑞萨科技发布具有两个功率MOSFET的HAT2210WP

  • 瑞萨科技公司宣布推出具有两个功率MOSFET的HAT2210WP,封装形式是WPAK (瑞萨科技的封装代码)*1高热辐射封装,尺寸仅有5.3
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瑞萨科技发布AE45C1J01

  • 瑞萨科技公司发布一款AE45C1J01,属于现行的AE45C1 16位智能卡微控制器,具有MULTOS™*1智能卡操作系统和SEED*2 加密算法(韩国的现行标准)。在2004年10月8日,将从日本开始样品发货。从今年10月份开始,韩国Kookmin银行将开始发行采用AE45C1J01的银行现金卡。智能卡正取代传统的磁卡,用作信用卡和银行现金卡,可以防止伪造等问题;同时,人们对可以在单个卡中提供多种功能的多用途卡的需求也在增长。因此,可以实现多种应用的通用操作系统如MULTOS™*
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瑞萨科技将使用来自Sarnoff Europe公司的ESD保护技术

  • 瑞萨科技公司和Sarnoff Europe公司(它是由位于新泽西州普林斯顿的Sarnoff公司完全所有的子公司)宣布签署协议,授权瑞萨科技公司使用Sarnoff公司的TakeCharge®*1技术,IC设计者可以使用这种技术设计片上静电放电(ESD*2)保护电路。由于不用耗资、耗时进行新设计,使用这种受到高度评价的技术可以加速产品的上市时间;可以加速瑞萨科技公司采用硅-绝缘体(SOI)*3工艺的高级系统LSI器件的开发。在制造过程中,印刷电路板和LSL器件之间可能产生静电放电。在印刷电路板上积聚的
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争锋通信设备技术顶级展会瑞萨科技主打通信牌

  • 10月26日至10月30日,在国展举办的中国国际通信设备技术展览会上,目前通信领域的前沿科技争相献艺,而在诸多参展产品中,全球第三大半导体制造商瑞萨科技的拳头产品  SH-Mobile (快捷的手机多媒体处理器)尽显“明星效应”,对于这一产品的巨大市场前景以及在各个领域的广泛应用性,业界给予了相当的关注。有分析认为,刚刚在华东和华南初战告捷的瑞萨科技以SH-Mobile和下一代移动终端开发平台 T-Engine(一种开放式的、标准的实时运行系统,主要用于构造类似于手机的普遍运行环境)重拳出击此次
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瑞萨科技推出M16C家族的 M32C/88系列微控制器芯片上包含一个3信道CAN控制器

  • 瑞萨科技公司今日宣布推出M32C/88系列微控制器的六个型号产品,用于汽车和工业领域。M32C/88系列是属于M16C家族中的M32C/80大系列微控制器。样品将于2004年11月在日本开始提供。M32C/88系列微控制器继承了M16C家族微控制器与高效率的C语言兼容、高EMS、低EMI以及低功耗的突出特点。 这些微控制器中有一个高性能的CPU芯核和一个三信道CAN控制器,以及广泛的外设功能,和高容量、高可靠性的闪速存储器,而且它的性能价格比极好,可以以很低的价钱提供优异的性能和丰富的功能。M32C/88
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瑞萨科技发布世界上速度最快的4千兆位AG-AND型闪存存储器

  • 瑞萨科技公司宣布开发出R1FV04G13R和R1FV04G14R 4千兆位(Gbit) AG-AND*1型闪存存储器,可以提供世界上最快的10 M字节/秒编程速度,用于电影和类似应用中的大容量数据的高速记录。在2004年9月,将从日本开始样品发货,随后在12月将开始批量生产。R1FV04G13R和R1FV04G14R分别具有´8和´16位配置,可以提供下面的主要性能。(1) 世界上最快的4千兆位闪存存储器(芯片)作为实现了多级单元技术*2和高速度的第二阶段AG-AND型闪
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瑞萨科技公司接管SuperH公司的CPU芯核业务

  • 瑞萨科技公司今日宣布与意法半导体公司(纽约股票交易所代号:STM)就接管SuperH公司的SuperHTM CPU芯核的发牌授权业务达成一项协议。SuperH公司是瑞萨科技公司与意法半导体公司的合资企业。从今年十月开始,瑞萨科技和意法半导体将各自研制将来使用SuperH总体结构的CPU芯核。SuperH公司成立于 2001年7月,是Hitachi 股份有限公司(纽约股票交易所代号:HIT)与意法半导体公司的合资公司,目的是研制SH-5型以后的各种CPU芯核以及SH-4和以后各代CPU芯核的发牌授权。自从S
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瑞萨科技公司接管SuperH公司的CPU芯核业务

  • 瑞萨科技公司今日宣布与意法半导体公司(纽约股票交易所代号:STM)就接管SuperH公司的SuperHTM CPU芯核的发牌授权业务达成一项协议。SuperH公司是瑞萨科技公司与意法半导体公司的合资企业。从今年十月开始,瑞萨科技和意法半导体将各自研制将来使用SuperH总体结构的CPU芯核。SuperH公司成立于 2001年7月,是Hitachi 股份有限公司(纽约股票交易所代号:HIT)与意法半导体公司的合资公司,目的是研制SH-5型以后的各种CPU芯核以及SH-4和以后各代CPU芯核的发牌授权。自从S
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Mitsumi Electric和瑞萨科技就Chitose工厂的转让事宜达成初步协议

  • Mitsumi Electric 公司和瑞萨科技公司宣布,双方就Chitose工厂的业务转让事宜达成初步协议,该工厂包括一个属于瑞萨日本北部半导体公司(下文中称为Kitasemi)的前道生产线,这是一个瑞萨科技独资的子公司。在2004年12月,两家公司将采取必要的步骤,进行业务交接。Kitasemi的Chitose工厂是瑞萨科技的前道生产线,使用6英寸芯片生产微控制器,符合0.35-0.2μm设计规则。然而,瑞萨科技侧重于无处不在的网络社会领域,由于产品工艺变得更精细,预计对Chitose工厂生产的成熟工
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瑞萨科技将在汽车控制器中采用 Bosch的FlexRay IP

  • Renesas Technology Corp. today announced an agreement with Robert Bosch GmbH to use its FlexRayTM*1 communication controller IP in a microcontroller for automotive communication applications. The first device to be developed will be based on the high-perf
  • 关键字: 瑞萨科技  

瑞萨科技发布用于功率MOSFET的 LFPAK-I上表面散热型封装

  • 瑞萨科技公司宣布开发出LFPAK-I(无损耗封装-倒装型)上表面散热型封装,作为新的功率MOSFET封装形式,它通过使用顶面安装热沉大大提高了散热特性,通过使用上表面散热结构提高了电流能力。作为初始阶段产品,现在正发布3种服务器DC-DC电源稳压器(VR)功率MOSFET:HAT2165N、HAT2166N和HAT2168N,从2004年7月开始,将在日本开始样品发货。这种新封装的特性总结如下。(1)与瑞萨科技先前的封装相比,安装散热热阻值减小了40%,电流容量大约提高了30%。LFPAK-I使用一种管芯
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