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宽禁带 文章

碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)谁是宽禁带(WBG)材料的未来?

  • 以GaN和SiC为代表第三代半导体正处于高速发展的阶段,Si和GaAs等第一、二代半导体材料也仍在产业中大规模应用。但不可否认,第三代半导体确实具有更多的性能优势。
  • 关键字: 碳化硅  SiC  氮化镓  GaN  宽禁带  WBG  

砥砺前行,推进半导体产业的“芯”潮

  • 南方科技大学深港微电子学院拥有未来通信集成电路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半导体器件重点实验室,围绕中国半导体产业链,培养工程专业人才,搭建跨国跨区域的校企合作与人才教育平台,建立以工程创新能力为核心指标的多元化机制,致力于对大湾区乃至全国的集成电路产业发展提供强有力的支撑作用。其科研成果、产业推广和人才培养成绩斐然,在国产芯片发展浪潮中引人瞩目。
  • 关键字: 集成电路  微电子  氮化镓器件  宽禁带  IC  GaN  202103  

聚焦“宽禁带”半导体——SiC与GaN的兴起与未来

  • 随着硅与化合物半导体材料在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的提升面临瓶颈,不足以全面支撑新一代信息技术的可持续发展......
  • 关键字: 宽禁带  半导体  SiC  GaN  

并行FDTD方法分析光子带隙微带结构

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字: 共形并行  FDTD  光子带隙  宽禁带  
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宽禁带介绍

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