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宽禁带 文章

聚焦“宽禁带”半导体——SiC与GaN的兴起与未来

  • 随着硅与化合物半导体材料在光电子、电力电子和射频微波等领域器件性能的提升面临瓶颈，不足以全面支撑新一代信息技术的可持续发展......
  • 关键字： 宽禁带  半导体  SiC  GaN  

并行FDTD方法分析光子带隙微带结构

  • 电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
  • 关键字： 共形并行  FDTD  光子带隙  宽禁带  
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宽禁带介绍

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