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存储芯片 文章 进入存储芯片技术社区

日本地震或使全球芯片销售收入提高7%

  •   研究机构IHSiSuppli表示,由于日本地震导致该国存储芯片供应减少之后推动价格走高,预计2011年全球半导体销售收入将增长7%至3,250亿美元。   
  • 关键字: 存储芯片  DRAM  

2011年晶圆厂资本支出创历史新高

  •   根据SEMI World Fab Forecast的报告,2011年全球晶圆厂项目支出,包括建设、设施、设备,将较2010年增长22%,其中设备支出(包括新设备和二手设备)将增长28%。该分析报告基于近期所宣布的资本支出计划,主要来自代工厂商和存储芯片厂商。   
  • 关键字: 晶圆  存储芯片  

美光CEO警示存储芯片产能过剩

  •   美光科技首席执行官Steve Appleton 日前表示,2011年存储芯片制造产业应当抑制资本支出,以避免困扰整个产业的产能过剩问题再度出现。   Appleton 预计,存储芯片制造商用于购买制造DRAM内存芯片设备的支出在2011年将出现下滑,这仍将有助于减少供给过剩的问题。阿普里顿同时表示,市场对闪存芯片的需求依旧强劲。   
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三星继续统治DRAM市场 韩厂狂揽62%份额

  •   存储芯片调研公司集邦科技日前发布了2010年四季度的全球DRAM营收报告,去年四季度DRAM市场营收86.4亿美元,相比三季度的107.8亿美元下降20%。芯片期货价环比下降40%,但产能增长16%。   集邦科技指出,厂商们在生产工艺上的升级使得产能上涨,但50nm级和40nm级工艺的迈进使得四季度的DRAM价格下降。在加上PC对DRAM需求较低、PC内存容量的升级缓慢,最终的结果就是产能过剩拉低了芯片价格。   四季度2GB DDR3内存平均期货价已经从三季度的40美元降低到24美元,而现货市
  • 关键字: 集邦科技,DRAM  存储芯片  

三星、应用材料就间谍门达成和解

  •   此前美国半导体设备供应商应用材料员工将三星芯片处理工艺技术外泄海力士从而联力上演了现实版无间道,为了避免日后遭到三星的起诉,应用材料近日与三星达成和解。   
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中芯国际正式入主武汉新芯

  •   “新芯的事情总算有了明确的说法,我们董事长、总裁都去了武汉,等好消息吧。”近日,中芯国际(00981.HK)一位市场人士在电话里对《第一财经日报》说。   武汉市政府将联手中芯国际日前召开发布会,宣布双方成立一家合资公司,共同运营武汉新芯。这意味着此前试图并购新芯的美国美光梦已破碎。   新芯是中部首个12英寸半导体制造项目。该厂一期工程总投资达100亿元,2008年正式投产。此前,它一直由中芯国际代管运营。   
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尔必达将发行7.3亿美元可转债

  •   据国外媒体报道,尔必达计划面向本地的私人投资者发行6000亿日元(约合7.28亿美元)可转债。   根据尔必达周五发布的公告,这一可转债为5年期,利率0.5%。筹集的资金将用于偿还债务,以及升级半导体制造设备。尔必达是全球第三大计算机存储芯片厂商,该公司在追赶业界领头羊三星电子的过程中正面临压力。后者目前每年支出100亿美元来提升芯片产能。   周五,尔必达在东京股票交易所的股价上涨5.2%。不过在当天早盘的交易中,尔必达股价曾一度大跌5.6%。东京新生证券高级分析师松元泰裕指出,这一股价反转是由
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尔必达拟购买力晶和茂德股份对抗三星

  •   尔必达正在考虑收购力晶(Powerchip)和茂德(ProMOS)股份,以抵御三星的竞争,并有望引发全球半导体行业近十多年来最大规模的重组。   行业整合   尔必达总裁阪本幸雄在本周接受媒体采访时表示,力晶、茂德以及华邦(Winbond)三家中国台湾的半导体公司都是可能的股权收购目标。他表示,尔必达希望获得这些企业20%至30%的股份,而且这些交易都有可能会引发收购,尽管谈判尚未开始。   阪本幸雄说:“这些台湾厂商几乎不可能依靠自己的力量生存。如果不采取一些措施,我们也很难生存。
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尔必达CEO称公司盈利难达预期

  •   据国外媒体报道,全球第三大电脑存储芯片制造商尔必达CEO阪本幸雄周一表示,由于PC需求放缓导致芯片价格下滑,该公司很可能无法达到此前的盈利预期。   阪本幸雄在周一接受媒体采访时表示,截至明年3月的财年内,尔必达营业利润将在1000亿日元(约合12亿美元)至1200亿日元之间,销售额预计为6000亿日元至6500亿日元。阪本幸雄此前预计,尔必达本财年实现营业利润1600亿日元,实现销售额7000亿日元。   阪本幸雄表示,由于增速慢于预期,尔必达将推迟提升中国台湾产能的计划。过去一个月间,由于担心
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“中”“美”大战:中国半导体的“武汉保卫战”

  •   这是最好的时代,也是最坏的时代。多少年后,当我们仰望星空,回眸历史,会发现这句话是对2010年中国半导体产业最好的注解:今年中国半导体产业增长达30%多,但设计公司却纷纷找不到产能,被国外的代工厂家“加价不加量”,发展状况堪忧;中国制造业增长接近50%,但仅有的三家8寸模拟厂之一的成芯被外资买走,唯一的12寸存储芯片代工厂也要被外资收购;政府不差钱了,但扶持高科技的资金却好像减少了;   武汉新芯作为大陆惟一的存储芯片加工厂,为何地位如此重要,引发中芯国际和美光的&ldquo
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三星考虑明年投资创纪录 约255亿美元

  •   据国外媒体报道,三星考虑明年投资创纪录的30万亿韩元(约合255.5亿美元),用于推进现有业务以及新业务领域扩张。   三星CEO崔志成周五表示:“目前很难为2011年制定明确计划,但我们正考虑投资30万亿韩元左右。”崔志成透露,为推进现有业务,三星可能会考虑在生物科技和医疗保健领域实施并购。   如此规模的投资将超越三星在2010年的投资计划。按计划,三星今年在制造设施、研究和发展领域的总投资将达26万亿韩元。   与此同时,高额投资也会帮助三星增加存储芯片和液晶显示器
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闪存巨头美光科技将入主武汉新芯

  •   继美国德州仪器洽购中芯国际原托管工厂成都成芯半导体之后,美国闪存巨头美光科技也将入主武汉新芯。   武汉新芯为中部第一个12英寸半导体制造项目,也是大陆唯一的存储芯片代工厂。该厂一期工程总投资高达100亿元,2006年6月动工,2008年9月正式投产。之前一直由中芯国际托管运营。   权威人士昨日对本报透露,过去几个月,美光科技一直与武汉当地、武汉新芯公司洽谈合作,有望成为其控股方。“双方打算先成立一家合资公司,美光可能以技术入股,对它释放一些订单,买产能。”该人士称,美光
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英特尔和Micron称下一代25纳米NAND取得突破

  •   据国外媒体报道,英特尔和Micron已经开始发布下一代25纳米NAND存储芯片,为达到最高效率,该芯片使用了三层存储单元技术。   首款8GB和64GB芯片正在向选定的客户发售,用于SD卡存储设备。该芯片在每个存储单元中保存三位信息,而非像传统芯片那样保存一到两位信息,英特尔宣称,这种芯片是目前市场上最有效率的。   英特尔副总裁及NAND开发组主管Tom Rampone声称25纳米已经是业界最小的尺寸,在开发完成25纳米程度的三层存储单元之后,公司还将继续为用户探索和发展更高级的产品。公司计划利
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尔必达造平板电脑适用的全球最小LPDDR2颗粒

  •   尔必达公司今天宣布,他们已经开发出了一款新品2Gb容量DDR2移动存储芯片,号称全球最小的LPDDR2颗粒,FBGA封装后封装尺寸仅有10x11.5mm。   该内存颗粒主要面向智能手机和平板机市场,运行在1.2V低压下,可实现1066Mbps的高数据传输率,64bit配置上每秒可传输8.5GB数据。由于使用了40nm工艺制造,该颗粒的功耗比上代50nm产品低30%。   尔必达计划以多种形式出货该内存颗粒,包括用于堆叠封装的裸片,以及PoP或FBGA封装后出货。   尔必达称,目前其广岛工厂的
  • 关键字: 尔必达  存储芯片  FBGA  

尔必达计划削减债务并收购资产

  •   由于电脑行业复苏推动全球第三大电脑存储芯片制造商尔必达扭亏为盈,因此该公司计划削减债务,并购买资产。   负责管理财务和会计事务的尔必达高管Takehiro Fukuda说:“我们将寻求包括并购和合作在内的各种机会。”他表示,尔必达将进一步拓展业务范围,包括智能手机和电视芯片。除此之外,还准备年底将权益负债率(debt-to-equity ratio)从1.3降低到1,并最终降到0.3。   在芯片价格大幅下滑导致尔必达2008年出现创纪录的亏损后,该公司从日本开发银行获得
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