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Diodes推出高压超势垒整流器系列第一款器件

作者:时间:2009-05-08来源:电子产品世界收藏

  公司推出高压超势垒 (Super Barrier Rectifier,简称SBR)系列的第一款器件SBR10U200P5。该系列采用热效率和紧凑的专有PowerDI5封装,具有卓越的超低热阻,使SBR10U200P5能以减少40%的占位面积,实现双倍的功率密度。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/94187.htm

   亚太区技术市场总监梁后权表示,SBR10U200P5是业界体积最小的引线式10A,额定电压高达200V,能够在10A额定电流和125℃的结温下提供业内领先的低至0.7V的正向电压降 (VF)。该器件的板外封装高度只有1.1mm,仅为Dpak封装的一半,有助于设计人员缩减笔记本电脑、通用充电器和电信电源等终端应用中的尺寸,提高功率密度。

  SBR10U200P5申请了专利的封装结构可以在紧凑的超薄封装内实现更高的功耗和浪涌能力,从而达到175℃的最大额定结温,而雪崩额定值也比采用Dpak封装的同类肖特基二极管解决方案高出50%。因此,SBR10U200P5可以不使用电源输出的缓冲电路,使设计人员减少终端产品的成本并简化设计。

  SBR10U200P5的各项出色功能使其非常适用于电源输出级的输出二极管,也可用作降压型稳压器电路中的箝位二极管,还可用作电机驱动电路的续流二极管或升压二极管。



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