Microsemi宣布推出新的1.7KW RF发生器参考设计工具套件

　　Irvine, CA, 2008年5月6日(首要的新闻专线，通过COMTEX新闻网络)-- Microsemi Corporation (Nasdaq: MSCC)，一个领先的、高性能模拟和混合信号集成电路和高可靠性半导体器件制造商，宣布推出一个新的1.7KW推挽D类参考设计工具套件，该设计工具套件使得RF设计工程师能够立即对一个高效率、大功率的D类RF 放大器进行评估。

　　基于Microsemi DRF1300 驱动器/MOSFET混合集成电路之上，这个新的参考设计工具套件为开发大功率、高电压的RF 发生器以及优化等离子体发生器、开关模式功率放大器、脉冲发生器、超声波转换器驱动器、声光模块的效率和功率密度提供了一个重要的工具。　

产品的主要特性：
• 输出功率超过1700 W
• D类运行的效率高于80%
• 开关频率：13.56 MHz
• 电源电压高达 250V 
• 内部MOSFET 的BV(DSS)额定值：500V
• 低成本的系统设计
• 适合于从电子管放大器转变为固态放大器

　　D类放大器能够提供线性放大器所不能提供的高效率。然而，许多工程师或者回避D类放大器复杂的设计，或者不得已花费数月来学习它的基本原理。使用Microsemi新的DRF1300/D类参考设计工具套件，可使工程师迅速克服高电压D 类设计中的 困难，节约数月的设计时间，避免无数反复的设计。

　　该工具套件的电路板以Microsemi DRF1300 驱动器/MOSFET混合集成电路为核心，能够获得以往固态D类放大器不可能实现的性能。DRF1300混合集成电路将二个驱动器、二个高电压MOSFET和内部旁路电容组合为一个推挽电路拓扑，成为一个高效率、高电压和高成本效益的解决方案。因为该驱动器与位置被优化的旁路电容相组合，所以能够在高于30MHz的频率下驱动高电压的MOSFET。500V的MOSFET使之能够应用于高电压，从而极大地简化输出匹配，并降低输出连接网络的复杂性。

　　这套新的Microsemi D类参考设计工具套件包括：提供给设计者的应用指南，用来说明如何通过一系列的各种不同输出电压，来确定安全转换最大功率1700W到50欧姆负载所必需的合适输出波形。同时，它还演示了如何在较低的1KW输出下，达到高于90%的效率。它示范了在大功率D类功放的设计中, 对电源旁路电容和高功功率电感设计的要求.套件还提供装配齐全的电路板，该电路板安装在一个机械加工的散热器之上。

　　该D类参考设计工具套件是非常通用的设计工具。在评估了采用预负荷500V、30A的DRF1300混合集成电路的一个设计之后，能够很容易地用1000V、15A 的DRF1301驱动器/MOSFET混合集成电路来改造这个设计，使之适用于需要更高电压的应用。

　　DRF1300混合集成电路的特点是采用空气腔-无凸缘的封装，这种封装比常规的塑料封装具有更高的可靠性。因为无凸缘封装使用热膨胀系数(CTE)接近匹配的材料，所以可以减轻在功率循环期间内元器件之间的应力，使系统的可靠性最大化。在超过一百万次的循环中，演示了典型应用，其功率密度为 700W/平方英寸。由于无凸缘封装设计的采用，不再需要通常在大功率RF封装中使用的昂贵的铜-钨翼板，因此也降低了成本。

　　目前，DRF1300/D类参考设计工具套件已可供货，单价为 $1600。并可提供DRF1300和DRF1301驱动器/MOSFET混合集成电路的样品。另外，对于批量为100 的DRF1300混合集成电路的订货，单价为$225.00。所有的器件都通过工厂或经授权的Microsem RF产品批发商供货。