采用功率因数校正技术将功耗降至最低(06-100)

　　无桥PFC技术面临的问题是电流检测、EMI和输入电压检测。此外，桥式整流器中的有源开关器件现在必须防止输入电压的瞬变。而且，由于必须采用速度较高的二极管，在功率较高时，涌流保护也是个问题。而采用最新的PFC控制技术，如采用电压模式控制的FAN7528或基于单循环控制技术的控制器，至少可以避开输入电压检测的问题。虽然可以采用常规技术，即用控制IC的单驱动信号来控制这两个桥的开关，但是为了获得最大的功效和较低的EMI，需要新的控制技术来实现各个功率开关的单独控制。

　　EMI滤波器中的损耗

　　减小电磁干扰 (EMI) 滤波器的尺寸也能降低相应的损耗。由于在DC-DC变换器中采用了负载点处理器功率技术，即所谓 “隔相” 或 “交错通道” 技术，使用多个功率级的PFC变换器逐渐被业界接受。隔相技术可减小输入处的波纹电流，从而减小EMI滤波器的尺寸。隔相技术还能减小整个升压电感的尺寸，而且，由于电感被分开，也有助于改善散热。

　　PFC功率开关管的损耗

　　为了降低开关损耗，必须考虑采用零电压开关 (ZVS) 或零电流开关 (ZCS) 技术。在BCM控制中 (飞兆半导体FAN7527B 和FAN7528控制器所采用的技术)，主MOSFET开关在电流为零的情况下导通，减小了导通损耗，从而降低了功耗。这对低功率变换器来说是一大优点，但由于功率较大时主要损耗源于导通损耗，所以这种优点只能体现在300W以下的应用中。

　　由于PFC前端的开关频率相对较低，因而有可能采用IGBT (绝缘栅双极晶体管) 来降低高功率下的导通损耗。不过，大多数应用仍然使用MOSFET，因为其开关损耗较低。

　　主MOSFET开关也可以在电压为零的情况下导通。这需要添加一些额外的电路，包括小功率MOSFET、整流器和电感 (飞兆半导体的FAN4822就采用了这些电路)。这些部件相当于给开关电路注入了某种 “幼儿营养剂”；通过时序优化和利用谐振效应，使跨过主MOSFET开关的电压在导通前为零。虽然该方案看似很具吸引力，但电路拓朴十分复杂。