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- 新基建涵盖了广泛的领域，并对半导体电源设计提出了各种挑战。其中最大的挑战之一是要找到一种以更小尺寸和更低成本提供更多电力的方法。第二个挑战是如何帮助设计师在这些竞争激烈的市场中脱颖而出。为应对这些挑战，TI提供了多种解决方案。以下我将分享有关TI GaN解决方案的更多详细信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工业和汽车市场的各类应用。TI GaN在一个封装中集成高速栅极驱动器和保护功能，可提供优异的开关速度和低损耗。如今，我们的GaN应用于交流/直流电源和电机驱动器、电网基础设施和汽车
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OBC GaN 202009
- 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations 近日宣布 InnoSwitch™3-AQ 已经开始量产,这是一款已通过AEC-Q100认证的反激式开关IC,并且集成了750 V MOSFET和次级侧检测功能。新获得认证的器件系列适用于电动汽车应用,如牵引逆变器、OBC(车载充电机)、EMS(能源管理DC/DC母线变换器)和BMS(电池管理系统)。 InnoSwitch3-AQ 采用Power Integrations的高速Flux
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OBC BMS EMS MOSFET IC
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。此次开发的新产品，通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构※3，改善了二者之间的矛盾权衡关系，与以往产品相比，在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约4
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EV OBC MOSFET
- 当汽车应用程序可以用更少的零件完成更多的工作时，就可以在减少重量和成本的同时提高可靠性，这就是将 电动汽车（EV）和混合电动汽车（HEV） 设计与多合一动力总成系统相整合的思路。什么是多合一动力总成组合架构？多合一动力总成系统整合了诸如车载充电器（OBC）、高电压DC/DC（HV DCDC）、逆变器和配电单元（PDU）等动力系统终端器件。如图1所示，可在机械、控制或动力系统级别应用整合。图1：电动汽车标准架构概述为什么多合一动力总成系统最适合HEV/EV？多合一动力总成系统能够实现：●
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OBC PDU HEV EV
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，总部位于中国上海市，以下简称“UAES公司”）的电动汽车车载充电器（On Board Charger，以下简称“OBC”）。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。与IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一种能
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OBC SiC MOSFET
- 领先的汽车供应商MARELLI近日宣布与美国一家专注于重新定义功率转换的半导体公司Transphorm达成战略合作。通过此协议，MARELLI将获得电动和混合动力车辆领域OBC车载充电器、DC-DC 转换器和动力总成逆变器开发的尖端技术，进一步完善MARELLI在整体新能源汽车技术领域的布局。Transphorm被公认为是氮化镓(GaN)技术的领导者，提供高压电源转换应用的最高效能、最高可靠性的氮化镓(GaN)半导体，并拥有和汽车行业（尤其是日本）直接合作的成功经验。获得这一技术对正在探索电力传动系统业务
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OBC GaN
- 电动汽车充电一直是大家公认的难题，今天介绍一下电动汽车充电系统，让大家有个大致的了解。
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OBC 汽车电子 充电
- 日前，由中国半导体行业协会、中国电子材料行业协会和中国电子专用设备工业协会共同主办的“第八届(2013年度)中国半导体创新产品和技术项目”评选活动举行了颁奖仪式，由珠海欧比特控制工程股份有限公司公司提交的SIP-OBC模块产品和S698PM四核处理器分别荣获“最佳创新奖”和“集成电路设计市场成功产品奖”。欧比特公司则荣获“SIP和集成电路设计”年度成功企业称号。 据了解，欧比特公司从2007年就开始关注SIP立体封装的技术的发展状况，并积极开展技术研究及市场调研工作，于2008年投入研发力量进行技术
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欧比特 SIP-OBC S698PM
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