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采用SOT23 封装的降压稳压器和升压稳压器(04-100)

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作者:美国国家半导体欧洲公司电源管理应用工程师 Frederik Dostal时间:2008-03-28来源:电子产品世界收藏

  工艺技术

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/80833.htm

  当把 等非常小的封装用于较高功率时,第一个大问题是实际裸片尺寸,第二个大问题是封装的热耗散。-6 并不是一种非常低温阻的封装。-6 封装从接头到周围环境的典型热阻是 265 开尔文/瓦。如果这种器件工作于室温,那么它能达到的最大功耗大约是 380mW。请记住,多数应用需要工作在远高于室温的温度下,能达到的最大功耗低得多。80 摄氏度的环境温度使允许的最大功耗降至大约 170mW。

  在使用这类封装时,这些温度方面的考虑事项只有一个解决办法:需要降低功耗!NS公司的新型 PVIP(功率 VIP)工艺是一种专门针对电源管理的工艺。它提供了极度精简的集成电路,它们的电阻非常低。这使芯片设计人员能提高电流和电压,或缩小裸片尺寸而保持性能相同。

  典型应用

  在本文中,我们讨论了使用反相拓扑结构的降压来产生负输出电压。这种拓扑结构的一个独特之处是输入电压的绝对值可能低于或高于输出电压的绝对值。因此,对于需要降压和升压、并且负载的极性可被改变的每一种应用,都可以使用反相拓扑结构,而不是 SEPIC 拓扑结构。人们通常更喜欢这么做,这是因为可以节省额外的 SEPIC电感器占用的空间和成本。

  这种反相拓扑结构的一个典型应用也是依靠宽范围的输入电压来驱动 LED。图 3 显示了这样的一个设计实例。可以看出,是参考了输出电压而不是接地电压。例子中的负载是由两个白光 LED 构造的。串联时,它们的合计正向电压大约是 8V。根据温度和生产中正规分布的不同,这两个 LED的合计正向电压可能在7V和8V之间。根据图3显示的电路,当使用了输入电压范围是3V~24V的高端时,输入电压的变化可以从3V到24V。 



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