紫光、京东方成存储器两大黑马 SK海力士有压？

　　SK海力士营业利润连续6个季度突破1兆韩元，这归功于服务器和移动领域所带来的坚挺需求。其中，在主力军动态半导体存储器(DRAM)的生产中，DDR4和LPDDR4的产量预计将比原计划产量有所增加，以应对需求的增长;储存型快闪存储器(Nand flash)也预计扩大10纳米级三阶储存单元(TLC)产品的生产比重。

　　今年4月，发生员工事故的京畿道利川市的新工厂(M14)追加了2800亿韩元投资用于加强安全等方面的建设，总投资额已达6兆韩元以上。M14的施工已经延迟了2个月左右，晶圆生产量也减少了7000万-8000万件。预计进军中国的存储器项目，将以技术开发和原价竞争力的战略来获得市场占有率。

　　据SK海力士23日公布的数据，今年海力士第二季度销售额为4兆6390亿韩元，营业利润达到1兆3750亿韩元，销售额和利润比去年同期分别上升了18%和27%;与上季度相比，销售额下降4%，营业利润下降13%，有分析称这是由PC需求放缓导致。第二季度营业利润率为30%，扣除法人税等费用后纯利润达到1兆1080亿韩元。DRAM和Nandflash的发货量比上季度分别增长了4%和8%，平均售价分别下降了8%和6%。

　　预计SK海力士下半年移动端DRAM比重将增至40%，PC端DRAM比重则会跌至20%左右;在海力士主力产品DRAM生产中，DDR4和LPDDR4需求在增加，所以这两项的生产会比先前的计划有所增加，而DDR3的生产将会下降。这是因为有推断表示，今后以大容量、高性能的DDR4为基础的服务器和移动领域需求量将会大幅增加。

　　随着主要的智能手机企业移动端新产品的上市和固态硬盘(SSD)市场的扩大，Nandflash预计将会得到持续的发展。对此，SK海力士扩大了从第二季度开始出厂的10纳米级TLC产品生产比重。

　　海力士计划第三季度之内完成3D2代(36段)产品的开发，并开始准备小规模的生产;并且，计划在年内完成以TLC为基础的3代(48段)产品的开发，并和SSD一同应用于solution的全部产品当中，以此来应对从明年开始的日益增长的3D需求。

　　SK海力士的金社长称：“从2季度开始生产的16纳米级TLC的Nandflash到今年年底比重将增至40%”，“我们将不断改善Nand的原价竞争力和收益性。”

　　SK海力士今年上半年投资了3兆7000亿韩元，由于基础设施投资的增加，今年的投资规模有望达到6兆韩元以上。海力士在今年4月发生员工事故的京畿道利川新工厂(M14)增加了2800亿元的投资，用于安全强化。

　　原定于今年上半年完工的M14工期已经推迟了2个月左右，预计今年12月前后晶圆产量达到1.3万件的计划可能将减少7000万-8000万件，减至5000万件左右。M14产线完工之前，将继续沿用现有的M10生产线至明年。

　　海力士方面表示，最近在收购本公司股票方面，公司将不会注销所收购的本公司股票，并且今后在必要时也计划研究收购本公司股票事宜。

　　SK海力士有意进军中国半导体存储器市场，公司依旧拿出了以技术优势来占领市场的战略。SK海力士方面表示：“我们承认今后肯定要进军中国市场”，“但有关何时拿出一个怎样的技术来，还是一个未知数。”

　　海力士方面还补充道：“为了应对这一问题，我们把技术开发放在首位”，“技术提高到何种程度，以及是否确保原价竞争力，决定了我们是否能够持续保持良好的市场占有率”。最近业界内有关京东方(BOE)投资DRAM、紫光收购美国美光科技等中国准备进军存储器市场的消息也在不断流出。