基于SiC器件的高效E类功率放大器

1 引言

近年来各种通信技术迅猛发展，如何提高通信系统的效率成为重要的研究课题。射频功率放大器是通信系统中消耗功率最多的器件，尤其在无线通信基站和卫星通信等应用领域中，提高射频功放的效率可大大降低系统的消耗和节约能源，因此各种高效率功率放大器成为人们研究的热点。作为高效率功率放大器的一种，E类功率放大器的基本模型最早由NATHAN O. SOKAL和ALAN D. SOKAL于1975年在文献中提出。E类功率放大器的电路结构简单，工作原理是把晶体管作为一种开关使用，使得漏极电流和电压正交，继而漏极消耗的功率为零，因此理论上的漏极效率可以达到100％。

早期的E类功放都是由集总参数元件所构成，但在微波频段，集总参数元件损耗较大而不再适用，于是发展出了用微带线替代集总参数元件的微带E类功率放大器，微带E类功放不但效率高，还能很好的抑制谐波能力，因此在微波频段中得到了广泛的应用。随着对E类功率放大器的理论研究不断深入，许多中分析和设计方法被提出，E类功放的电路结构得到不断创新和改进，E类功放的效率和性能也得到很大提高。此外，随着新型半导体功率器件的发展，尤其是SiC和GaN等宽禁带半导体器件的出现，E类功放的效率也得到进一步的提升。本文采用SiC MESFET作为有源器件设计一个E类功率放大器，用ADS软件对其进行了仿真分析和优化，并对实际电路板进行了测量，最后给出了仿真和实验的结果分析。

2 E类功放原理

E类功率放大器的原理就是让晶体管工作在开关状态，使得晶体管漏极的电压和高流不同时出现，理论上漏极消耗的功率为0，则漏极效率可以达到100％。图1是典型的E类功率放大器原理图，其中RFC为高频扼流圈，S为等效晶体管开关，C_shunt是晶体管的寄生输出电容和附加电容的总电容，L和C组成理想串联谐振回路，jX是补偿电抗，保证晶体管的漏极电压和漏极电流正交，R为等效负载电阻。这是集中参数元件构成的E类放大器，但在射频频段，微带线更适合应用于E类功放的设计中，本文研究的功放是工作在L频段，所以其中的高频扼流圈，串联谐振回路，补偿电抗，输入和输出阻抗匹配均采用微带线实现。

图1 E类功率放大器原理图

3 晶体管直流工作特性

SIC MESFET具有很高的反向击穿电压，结电容很小，还有很好的热传导性。基于以上这些优点，近年来，SIC MESFET在各种类型的功率放大器中得到越来越广泛的应用。由CREE公司生产的SIC 器件CRF24010 和CRF24060是第一批商用化的SIC器件，它们的工作频率可以达到2.5GHz的上限。综合考虑以上各种因素，本文选择了CREE公司生产的SIC MESFET器件CRF24060作为功放电路的有源器件。

直流偏置电压不仅能确保功放工作在所需的工作状态，还会对功放的最佳匹配负载和效率等参数产生影响。为了找到最佳直流电压值，使功放的效率达到最大，对晶体管的直流工作特性进行了仿真，仿真结果如图2所示。

图2 晶体管直流工作特性