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基于SiC器件的高效E类功率放大器

电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
关键字： SiCMESFET E类功率放大器效率

专用高频E类功率放大器的研究

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关键字：高频射频 E类功率放大器漏电流开关模式

射频E类功率放大器并联电容技术

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关键字：射频 E类功率放大器并联电容集电极电流集电极电压

高效率低谐波失真E类射频功率放大器的设计

引言近年来，随着无线通讯的飞速发展，无线通信里的核心部分——无线收发器越来越要求更低的功耗、更高的效率以及更小的体积，而作为收发器中的最后一级，功率放大器所消耗的功率在收发器中已占到了60%～90%，严重影响了系统的性能。所以，设计一种高效低谐波失真的功率放大器对于提高收发器效率，降低电源损耗，提高系统性能都有十分重大的意义。笔者采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器，其工作频率为1.8GHz，工作电压为1.5V，输出功率为26dBm，并具有高效率和低谐波失真的特点，适用于FM/
关键字： E类功率放大器 RF专题单片机电源技术模拟技术嵌入式系统模拟IC 电源

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e类功率放大器介绍

　　E类功率放大器(功放)是一种高效率的开关类功放，并且，基于E类功放的极坐标发射机能够改善传统发射机的低效率性能。考虑到极坐标发射机对E类功放的技术需求，本文主要针对E类功放及其应用进行了三部分的研究：改进的高效率E类功放设计方法；漏极电压调制对E类功放性能的影响分析；极坐标发射机的原理验证及其幅度放大通道的非理想特性分析。　　E类功率放大器的典型电路是由单个晶体管和负载两蹯所组成，在输入信号的 [ 查看详细 ]