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安森美半导体用于白家电各功能模块的高能效方案

作者:时间:2014-02-17来源:电子产品世界

  图3为基于半导体NCP1129设计的25 W高压市电供电电源,它提供12 V恒压输出,采用峰值电流模式控制,带可调节斜坡补偿,确保在连续导电模式(CCM)的稳定性;优化短路保护及实际过载检测;轻载条件下频率反走至26kHz。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/221629.htm

  同时半导体还为客户提供高集成度功率因数控制器、DC-DC控制器、分立MOSFET、功率整流器、二极管及晶体管等完整系列的电源半导体产品。

  电机驱动功能

  半导体为白家电变频驱动提供分立及模块式设计:

  分立设计器件:安森美半导体用于MOSFET/IGBT门极NCP5104、NCP5106、NCP5111、NCP5181能工作在高达600V的输入电压,具有每纳秒50V的dv/dt抗扰度,并兼容于3.3V和5V输入逻辑,这些器件使用启动电路(bootstrap)技术来确保驱动高边功率开关,并提供强固的设计。

  安森美半导体用于功率因数控制器的IGBT产品有 NGTB05N60、NGTB10N60、NGTB15N60、NGTB20N60L2、NGTB30N60,带续流二极管;用于电机驱动被动功率因数校正的IGBT产品有NGTG12N60、NGTG15N60S1、NGTG20N60L2、NGTG30N60F、NGTG50N60F,不带续流二极管。

  安森美半导体用于电机控制的MOSFET产品具有低导通阻抗、低电容、低门极电荷等特性,能将器件导通损耗、开关损耗以及损耗降至最低,提供高抗雪崩能力及大电流通过能力。

  模块式设计:安森美半导体采用IMST(绝缘金属基板技术)技术使分立无源器件(电阻、电容)、分立有源器件(二极管、晶体管)及集成电路(门、DSP、逻辑)等封装到同一智能功率模块(IPM)中。

  智能功率模块(IPM)内含门极驱动、欠压保护(UVLO)、过温检测及电流检测等功能,通过内部优化布线来改善EMI及散热性能,可集成PFC。

  安森美半导体用于白家电电机运动控制的步进电机驱动器提供高精度微步进,提供平顺、安静的运行。AMIS-30622集成无停转检测,能动态控制速度、转矩及位置,维持连续运行;LB1948MC及LV8548MC能提供双极及BiDCMOS选择,支持单通道步进电机/双通道直流电机,励磁模式支持满步、半步,具有低饱和电压、低导通阻抗等特性;LV8712T采用单通道PWM恒流控制,励磁模式包括满步、半步、1/4步、1/8步,集成过热关闭、低压检测以及有源反激等保护。

  安森美半导体提供应用于无刷直流电机()驱动的单相及三相电机驱动器,LB11685AV采用无设计,脉冲幅度调制(PAM)控制,软启动有利于提升启动时的稳定性,软开关则有助于提供静音驱动,内置限流器、过热关闭及抖动锁定(beat lock)保护;LV8136V是一款三相电机用PWM系统预驱动IC,提供高能效、150°PWM静音驱动。

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