ST发布高端医疗仪表用最低噪音运算放大器TSH300
随着ds3231超高精度、i2c*兼容的集成rtc/tcxo/晶振的推出, dallas semiconductor再次刷新了单芯片实时时钟精度的纪录。ds3231在整个工业温度范围内(-40°c至+85°c)提供±3.5-ppm的精度。器件每隔64秒(64s)测量一次温度，通过调节晶体的负载电容，使其在指定温度达到0ppm的精度，最终达到提高时钟精度的目的。
电流损耗
周期性地测量温度使得器件在短时间内(最差情况下为200ms)的电流损耗增大。图1给出了ds3231在最差情况下的电流损耗，计算中假设电池电压为3.3v，i2c兼容接口不工作。
图1. ds3231在最差情况下的电流损耗
最大平均电流由下式决定：
ds3231数据资料提供的最大平均电流是3.0μa，这一结果表明，由于温度检测使得器件的总电流损耗提高了250%！这一电流增量对于要求延长备用电源(如：锂电池或超级电容)工作时间的应用很难接受。
降低电流损耗
ds3232/ds3234在用户可编程寄存器中提供了一个域，允许用户延长温度更新的时间，从而降低平均电流损耗。两款器件在控制/状态寄存器中提供c_rate位，用来设置四种不同的温度更新周期。寄存器定义如表1所示。
表2列出了ds3232/ds3234温度更新周期与最差情况下电流损耗的对应值。计算中假设电池电压为3.3v，i2c兼容接口不工作。c_rate位上电时默认为0,
对应于64s的温度更新周期。
通过设置, 可以将备用电池的使用寿命延长65%。
精度
在温度变化较快的环境下，延长温度更新周期会降低时钟精度，但对温度保持稳定或温度变换缓慢的工作环境，对时钟精度的影响很小。
温度控制
ds3234加入了温度控制寄存器，当器件由备用电源供电时可以禁止温度更新。寄存器中的bb_td位控制温度测量禁止。该位上电时的默认值为0，温度更新功能有效。寄存器定义如表3所示。
表3. 温度控制寄存器位配置
该位使能后会降低备用电源的电流损耗，但是，由于没有温度更新，将会降低时钟精度。
结论
dallas semiconductor推出的ds3231/ds3232/ds3234集成rtc/tcxo/晶体通过设置温度更新周期，能够在保持较高时钟精度的同时大大降低电流损耗。
*购买maxim integrated products, inc.或其它经过认证的相关公司的i2c产品，需转让将这些产品用于i2c系统的philips
i2c专利许可协议，保证系统符合philips定义的i2c标准规范。
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