飞利浦推出P信道MOSFET扩展创新的mTrenchMOS系列

根据iSuppli的预测，每年被用于手机领域的P信道器件超过10亿件，而手机的付运量则有望从2003年的4.8亿部增长到2007年的6.4亿部。随着笔记本电脑和手持消费产品等移动应用的迅猛发展，亚洲地区的厂商将成为经济型封装和高效电源管理解决方案的领导者。飞利浦P信道器件可以满足成本经济型电源管理器件的需求，帮助设计人员节省板占位，提高能效，延长电池使用时间。

飞利浦半导体电源管理事业部副总裁兼总经理Manuel Frade表示：“这些新型的P信道器件结合早前发布的n信道mTrenchMOS器件，为设计人员提供了大量各类电源管理产品，以满足亚洲客户对移动计算和手机应用不断提升的需求。这些新器件对于那些需要高性能MOSFET，且对板占位和能效要求严格的消费类应用是至关重要的。”

P信道MOSFETS广泛应用于移动领域的负载和电池转换。目前的电源管理系统通常需要根据系统的特殊需求在任意特定时间转换一个或多个电源线。例如在“睡眠”状态的笔记本电脑显示器和磁盘驱动器处于关断，以节省电池能耗。此类系统的功率转换必须能在“开”状态下显现低压差，使驱动操作更为简便且仅占用较小的PCB面积。

此外，电源转换还必须能够“浮动”，主电流端都不与0V连接。由于P信道可以在“浮动”应用中出色地发挥驱动功能，低导通电阻RDS(ON) MOSFET器件是此类应用的最佳选择方案。P信道在LCD监控器和负载点应用中与N信道器件配合使用的需求亦呈现增长势头。

飞利浦正致力于扩展业界标准封装的P通道MOSFET，并将于未来数月推出更多相关产品。飞利浦 P信道器件具有50毫欧姆电阻和4.5伏电压，栅驱动为2.5伏。新型MOSFET包括20伏和30伏额定VDS，其驱动特性在栅驱动电压低至2.5伏时可完全打开。