Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块
开发NV SRAM的目的是生产一种类似于IC的混合存储器产品，利用低功耗SRAM配合锂纽扣电池工作，等同于带有长期备用稳压电源的CMOS技术。
为了理解Maxim的单芯片模块(SPM)封装设计以及对锂锰(ML)二次(可充电)电池的选择，首先需要知道电池备份存储器的开发过程。如果了解选择电池化学材料的相关问题，就很容易找到这一问题的答案。
建议读者首先熟悉非易失应用中所使用的原(不可充电)锂钮扣电池，在应用笔记505："Lithium Coin-Cell Batteries: Predicting an Application Lifetime"中进行了说明。
“砖模块”—过孔元件
早期的混合模块封装延用了传统的双列直插(DIP)封装，这主要是受市场驱动的结果，因为EPROM插座为产品提供了更大的灵活性。模块在制造过程中经过适当处理，具有连接方便、简单易用并且可靠性高等优势。将原锂钮扣电池集成到产品中的主要限制是钮扣电池不能暴露在+85°C (+185°F)以上的温度环境中。大批量电路板组装过程中遇到的这一工艺限制迫使生产商在处理备份电池模块时使用特殊的方法。而电池厂商对集成电路应用或印刷电路板组装的要求并不熟悉，因此，电子制造涉及到的环境问题对他们而言是一个全新领域。当时，设计更耐热的钮扣电池也不是他们开发计划所关心的主要问题。
对于很多用户而言，习惯于将DIP模块封装称为“砖模块”，受模块物力尺寸的限制，许多用户很难为这种封装找到合适的空间。
DIP模块采用传统的600mil宽的排列，占用较大的电路板面积，而且封装的高度也较高。存储器的每一次容量扩充都必须改动电路板布局，增加引脚数，并进一步增加电路板面积。模块采用全密封结构，增加的材料也会影响最终电路板的抗振动特性。
解决温度限制问题的常用方法是采用插座或手工焊接模块。但这两种方法会提高成本，而且安装很不方便。另外，插座连接还会产生系统可靠性问题。
存储器相关文章:存储器原理
评论