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MOS(场效应管)最常用的方法

作者:时间:2024-01-08来源:PCB设计老菜鸟收藏

使用方法

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202401/454570.htm


1、N的主回路电流方向为D→S,导通条件为VGS有一定的压差,一般为5~10V(G电位比S电位高);2、P的主回路电流方向为S→D,导通条件为VGS有一定的压差,一般为-5~-10V(S电位比G电位高)。


1、使用NMOS当下管,S极直接接地(为固定值),只需将G极电压固定值6V即可导通;2、若使用NMOS当上管,D极接正电源,而S极的电压不固定,无法确定控制NMOS导通的G极电压,因为S极对地的电压有两种状态,MOS管截止时为低电平,导通时接近高电平VCC。当然NMOS也是可以当上管的,只是控制电路复杂,这种情况必须使用隔离电源控制,使用一个PMOS管就能解决的事情一般不会这么干,明显增加电路难度。


1、使用PMOS当上管,S极直接接电源VCC,S极电压固定,只需G极电压比S极低6V即可导通,使用方便;2、如果使用PMOS当下管,D极接地,S极的电压不固定(0V或VCC),无法确定控制极G极的电压,使用较麻烦,需采用隔离电压设计。




关键词: MOS管 电路设计

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