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DC-DC在车载产品应用中如何避免冲击电压的产生

作者:林生念(厦门美时美克空气净化有限公司,厦门 361106)时间:2023-06-02来源:电子产品世界收藏
编者按:由于电子设备功能越来越复杂,在满足产品电源功率需求的同时又要兼顾产品寿命及可靠性,使得设计人员在电子产品模块电源设计中,更加热衷于选择输出效率高的DC-DC。然而在DC-DC输入电压较为不稳定的应用环境中特别在车载产品上,如果不对DC-DC的输入电压、外围参数、负载进行有效的评估,则容易使得DC-DC的瞬态输出电压产生冲击,从而造成后端用电设备的损坏。

本人在车载多媒体收音机设计中,使用了MITSUMI公司推出的MM3630XV,为iPhone、iPad 及其余移动设备的在乘用车上的充电电源或者U 盘及移动硬盘等移动存储设备供电,该输出电源规格为: 输出电压(+5±5%)V,以USB 接口方式输出(最大2.5 A)。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202306/447255.htm

1 应用初期电路设计

+5 V 输出电源系统框图见图1、应用电路见图2,MM3630XV 管脚定义见表1。

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图1

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图2

表1

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1.1 供电系统说明

由车载电池KL30 经过一定的滤波处理后连接芯片的Pin18、19,作为 MM3630XV 的,经过3 颗1% 精度的反馈电阻R354=10 k、R355=1.8 k、R356 = 2.2k 的分压产生FB 反馈信号设定最大带载2.5 A 的+5 V 的输出电压(见图3、图4),最终通过USB 接口输出给外部设备进行车上充电或者U 盘等移动存储设备提供+5 V 供电。

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图3

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图4

1.2 验证过程中出现的问题点

在汽车点火启动过程中,出现一定概率U 盘损坏的严重问题。

1.3 波形分析

在汽车点火启动过程,电池输出电压即MM3630XV 的在短时间内快速发生高低波动(见图7 及表2),于此同时,MM3630XV 的输出电压产生了11 V 的瞬态电压(见图6)。

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图6

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图7

表2 参数和规格对照表

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1.4 原因分析

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1.4.1 MM3630XV内部框图及说明

在图8 的是依托中,1 为输出电容,2 为BS-SW电压检测回路,3 是MM3630XV IC 外部泄放电阻,4是MM3630XV IC 内部泄放电阻,5 是Soft start 回路,6 是Hide-Side FET。

1.4.2 正常启动时序图

1)正常启动时序说明

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1.4.3 产生的异常启动时序图

1)异常启动时序说明

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图8

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图9 正常启动的时序图

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图10 产生的异常启动时序图

1.4.4 冲击发生的详细机理

1)BS-SW 引脚间电压检测

IC 内置有BS-SW 间电压检测回路。当BS-SW 间电压> 4 V,High-side FET 管打开,对SW进行升压,保证Vout 输出。

2)电压反馈

作为ERROR AMP 回路的输入引脚,FB 反馈电压跟踪 SS 电压(VREF ≦ 0.8 V 典型值),当FB 电压同步跟随SS电压一起达到0.8 V 时,此时如果High-Side FET 导通则输出Vout = 5 V。出现输出产生冲击电压的条件是:当SS 电压>FB 电压,重新启动后FB 电压还在放电至0.16 V 的过程中,当FB 放电完成后会快速跟随SS 电压上升,导致输出出现过电压状态。( 详见1.6.3 异常时序)

综上MM3630XV 的输出产生高电压电平需同时满足下记两个条件:

1)VSS >> VFB;( 此条件可以理解成,当VSS 已经达到0.8 V 时,VFB 还在放电或者刚放电至0.16 V);

2)(VBS-VSW) > 4 V。

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图11

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图12

1.5 对策分析

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图13

1.5.1 VFB的放电过程及VSS的充电过程分析

1)放电电容

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图14

2)VFB的IC外部放电电阻

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图15

3)内部放电电阻

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图16

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4)软启动时间

软启动时间如应用指南所示,是由软启动充电电流和SS-GND 引脚间电容决定的,各自的精度如图17所示。

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图17

2 小结

参数偏差整理结果归纳如图18 所示。

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图18

其中:

1)①③④影响Vout 放电时间的参数;

2)②影响开关起点的参数(High-side FET);

3)⑤影响Vss 电压启动时间参数.

2.1 计算输出放电时间

输出放电时间可用输出电容、放电电阻、开关起点(电压) 计算出来。

( 放电时间) = ( 输出电容)×( 放电电阻)×ln (VOUT/开关启动电压) 例:VOUT=5 V、开关启动电压= 1 V 时

ln (VOUT/开关启动电压) = ln (5 V/1 V) = ln5

由于1.5.1 中第2 部分的RFB电阻阻值远大于1.5.1中第3 部分的IC 内部放电电阻,所以可以忽略CE=L阶段的放电时间,直接按照上述公式计算Vout的放电时间,即得图19 的结果。所以Vout放电至0.16 V最长时间TFB为29ms。

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图19

2.2 计算软启动时间

软启动时间20% 的时间TSS,即从启动到0.16 V 的时间。(0.16 V/0.8 V = 20%)

Css=0.015 μF, Tss=Css *U/I 得出结果如图20。

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图20

可见此时TSSmin(= 0.5 ms)<<TFB(= 29 ms), 在CE由H→ L→H 的快速变化过程中,会导致冲击电压的产生。

3 对策

Css 从0.015 μF调整为1 μF后再计算,可得图21 的结果。

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图20

TSSmin(= 30 ms)> TFB(= 29 ms)

3.1 软启动电容调节后实机验证

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图22

4 结束语

通过调整Css电容,延长了Vss的充电时间,规避了在IC再启动过程中产生冲击的必要条件:VSS>>VFB,从而有效的抑制了冲击产生。

通过该案例的启示,研发人员在DC-DC 应用过程中,需充分考虑使用条件,特别是在供电系统易产生波动的环境中,要对Soft start 电容及Vout 泄放电阻的阻值及放电时间进行合理的理论计算,对上电、掉电时序进行充分的验证,才能避免类似的冲击产生,保证产品设计的可靠性。

参考文献:

[1] 任艳频.DC-DC变换电路原理及应用入门[M].北京:清华大学出版社.

[2] 曲学基,曲敬铠,于明扬.电力电子元器件应用手册[M].北京:电子工业出版社.

(本文来源于《电子产品世界》杂志2023年5月期)



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