安森美半导体推出新的以太网供电(PoE)方案 支持IoT端点日增的功率需求

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON)，凭借不断增长的符合IEEE802.3bt标准的产品和技术阵容引领行业。以太网供电(PoE)使用新的IEEE802.3bt标准，可用于通过局域网(LAN)联接提供高达90 W的高速互联。安森美半导体的方案不仅支持新标准的功率限制，还将功率扩展到100 W用于电信和数字标识等系统。

新的IEEE802.3bt PoE标准有潜力变革物联网(IoT)所涉及的每个垂直市场，使更精密的端点可在更大的网络运行。IEEE802.3bt标准通过新的“Autoclass”特性优化能量管理，令受电设备(PD)将其特定的功率需求传递给供电设备(PSE)。这也令每个PSE仅向每个PD分配适当的功率量，从而最大化可用能量和带宽。

与IEEE 802.at标准(PoE+)提供的30 W相比，IEEE 802.3bt可提供高达90 W的功率和互联到新的应用，无需专用且通常为离线的电源。PoE将简化网络拓扑，并提供更强固的“即插即用”用户体验。

 商业信息提供商IHS Markit电源半导体高级分析师Kevin Anderson说：“以太网供电是当今电源半导体发展最快的市场之一，预计2017年到2022年的复合平均单位增长率为14%。IEEE 802.3bt中定义的更高供电能力促成新的应用，如更高功率联接的照明、联网的高分辨率监控摄像机和高性能无线接入点。”

NCP1095和NCP1096接口控制器构成安森美半导体PoE-PD方案的基础，具有实施PoE接口所需的所有特性，包括检测、自动分类和限流。控制器采用一个外部(NCP1095)或内部(NCP1096)热插拔FET。NCP1096集成的热插拔FET具有Type 3或Type 4 PoE控制器可提供的最低导通电阻。控制器配以NCP1566 DC-DC控制器、FDMC8622单MOSFET、FDMQ8203和FDMQ8205A GreenBridge™四通道MOSFET，为PoE应用中的二极管桥提供更有效的替代方案。这些器件赋能高效的PoE接口，最高可达标准的90 W功率限制，若需更高的功率，可用专用的100 W方案。

安森美半导体工业和离线电源方案副总裁Ryan Cameron说：“作为一家讲究高能效的公司，我们很高兴能促进PoE充分发挥潜力。我司提供全系列符合IEEE 802.3bt的方案，使这技术更容易广及所有开发工程师，有助于使更多联接的设备具有保证的互操作性。”