基于J750EX测试系统的SRAM VDSR32M32测试技术研究

作者：时间：2018-07-25来源：网络收藏

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/201807/383908.htm

引脚定义

B. 对DC测试项进行定义包括DC Spec、Pin Levels等，此项不需进行Pattern编辑;

C. 编辑pattern所使用的function测试项VOL,VOH,时序参数包括AC Spec、Time Sets、Test Instance等编辑。

测试界面编辑

3.4VDSR16M32的功能测试

针对SRAM等存储单元阵列的各类故障模型，如阵列中一个或多个单元的一位或多位固定为0或固定为1故障(Stuck at 0 or 1 fault)、阵列中一个或多个单元固定开路故障(Stuck open fault)、状态转换故障(Transition fault)、数据保持故障(Data maintaining fault)、状态耦合故障(Coupling fault)等，有相应的多种算法用于对各种故障类型加以测试，本文采用棋盘格CHECKBOARD、全0、全1的测试吧算法。

不论何种算法，对于大容量的存储器来说，测试矢量的长度也会随其容量的增加而递增，相应地，测试时间随之增长。对此，J750EX测试系统的DSIO模块可以提供一个很好的解决方案。

3.5VDSR32M32的电性能测试

针对SRAM类存储器件，其电性测试内容主要有管脚连通性测试(continuity)、管脚漏电流测试(leakage)，管脚工作电流测试(ICC)、休眠电流(ISB)、输出高/低电平测试(voh/vol)，时序参数测试(TAA、TACS、TOE等)。

1)PMU简介

PMU即为Parametric Measurement Unit，可以将其想象为一个电压表，它可以连接到任一个器件管脚上，并通过force电流去测量电压或force电压去测量电流来完成参数测量工作。当PMU设置为force 电流模式时，在电流上升或下降时，一旦达到系统规定的值，PMU Buffer就开始工作，即可输出通过force电流测得的电压值。同理，当PMU设置为force 电压模式时， PMU Buffer会驱动一个电平，这时便可测得相应的电流值。SRAM 器件的管脚连通性测试(continuity)、漏电流测试(leakage)、voh/vol测试均采用这样的方法进行。

2)VDSR32M32的工作电流测试((ICC)、休眠电流(ISB)、时序参数测试(TAA、TACS、TOE)

VDSR32M32的休眠电流测试不需要编写pattern测试，而工作电流测试需要测试pattern，，需要注意的是测试静态电流时器件的片选控制信号需置成vcc状态，测试动态电流时负载电流(ioh/iol)需设为0 ma。

对时序参数进行测试时， pattern测试是必不可少的，并需要在Time Sets,Characterization进行相应的时序参数设置。

下图为测试项目界面：