各家争鸣存储器技术标准 储存技术之争再掀战火

　　在2017年快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)上，可见各主要NAND Flash供应商持续推出更新式存储器芯片以期能主导竞争优势，几乎各主要供应商也都在谈论简化Flash储存系统内建软件的必要性，以减少应用在资料中心时出现的延迟问题，以及试图定义固态硬盘(SSD)全新尺寸标准，另值得注意的是，本届大会上甚至连主要硬盘(HD)制造商，都已几乎不在主题演说中提及硬盘相关技术资讯或发展趋势。

　　根据科技网站EE Times报导，在本届大会上，三星电子(Samsung Electronics)承诺将在2018年推出Tbit级芯片，东芝(Toshiba)也展示将于2018年出货的96层768-Gbit芯片，美光(Micron)也介绍其512-Gbit芯片技术，这3家业者均表示，将提供每单元4位元的版本，但从这所有芯片的细节来看，仍均缺乏创建被视为秘密武器的大型NAND堆叠的技术。

　　对此东芝Flash业务资深人士Jeff Oshima指出，透过多个层创建均匀的孔以及从上至下取得可提供相同效能表现的存储器单元，是最大的挑战。因此如东芝是在堆叠的不同部位上采用不同的单元设计，该公司96层设计则是基于堆叠中的堆叠进行。

　　不过，Oshima未就东芝采用多少不同的单元设计或堆叠进行说明。另外Oshima也认为，Flash硬盘在2018年将转移至PCIe Gen 4，东芝计划该公司2017年所有新硬盘都采3D NAND芯片技术，到了2018年所有硬盘的芯片最小单位为每单元3位元。

　　美光方面，虽然表示该公司512-Gbit芯片在每平方公厘Gbits的密度表现上，较该公司两大主要竞争对手的技术高出16~20%，不过美光未提供其芯片大小，或何时该公司将支持每单元4位元技术水准的时间表。

　　本届大会上，也可见主要供应商试图定义最佳的固态硬盘(SSD)新尺寸标准，以让尽可能多的Flash可安装至资料中心机架安装系统中，如三星展示，该公司所推出、被称为M.3的新尺寸标准为30.5 x 110.0 x 4.38mm;英特尔(Intel)则发表更长的新尺寸标准，命名为“ruler”。

　　此外，在本届大会上几乎所有主要供应商均谈论到简化Flash储存系统软件的必要性，以减少应用在资料中心领域形成的延迟问题，不过也有不少业者提出明显不同的方法，如三星提出一个有助减少延迟问题的全新储存软件技术，称为“key-value”方法，不过三星也承认将需要多年时间为其重写现有应用程式(App)。

　　西数(WD)技术长Martin Fink认为，绝大多数资料中心Flash储存装置的延迟问题不是起因于芯片本身，而是来自于系统级软件的复杂堆叠，因此西数正投入更多时间资源在寻找合适的硬件与软件组合。

　　至于硬盘在本届大会上被提到的次数甚少，甚至西数及希捷(Seagate)两大硬盘厂也很少提及硬盘产品，仅希捷提到未来几年所有资料中心零组件采购对硬盘的支出比重，将从15%降至5%。美光则称在资料中心领域Flash已取代高端硬盘，但在每单元4位元芯片可能在2018年稍晚问世前，硬盘在资料中心市场仍具沉默的庞大影响力。

　　有鉴于3D NAND带动的存储器技术成长性，半导体设备供应商Lam Research调升对未来5年全球NAND资本支出规模预估，从500亿美元调升至700亿美元，此预估值是基于预期未来5年NAND Flash可达40%位元成长率进行估算。