华虹宏力闪耀CITE2017 核心技术喜获金奖

　　2017年4月9日-11日，第五届中国电子信息博览会(CITE2017)在深圳会展中心如期举行。全球领先的200mm纯晶圆代工厂──华虹半导体有限公司(股份代号：1347.HK)之全资子公司上海华虹宏力半导体制造有限公司(“华虹宏力”)连续第二年参展。今年华虹宏力不仅独立设置展区，还携最新技术和产品闪亮登场中国高端芯片联盟专区和传感器与物联网联盟专区，集中展示了作为中国半导体产业主力军的风采。同时，还凭借“600V-1200V场截止型IGBT芯片制造工艺技术”在 “CITE创新之夜”颁奖典礼上荣获“2017CITE创新产品和应用金奖”。上个月，该项目刚摘得“第十一届(2016 年度)中国半导体创新产品和技术”奖。

　　展会期间，工业和信息化部副部长刘利华及电子信息司司长刁石京等领导兴致勃勃地来到公司的展台前，观看了我们的展品和企业介绍。

　　华虹宏力流线型展台的右侧，大幅海报将华虹宏力二十载制“芯”之路娓娓道来。另一侧，以“科技创芯，智造未来”为主题，公司给新老朋友们准备了最新的工艺及产品解决方案。华虹宏力拥有全球领先的嵌入式非易失性存储器(eNVM)工艺平台组合，涵盖OTP、MTP、EEPROM和Flash等技术。2016年，基于此技术平台的智能卡出货量高达22亿颗，其中SIM卡出货18亿颗，占全球33%的市场份额。采用公司eNVM技术制造的金融IC卡芯片产品分别通过了EMVCo、CC EAL5+、万事达CQM认证等多项国际权威认证，获得了中国“芯”拓展海内外金融IC卡市场的“通行证”。目前，华虹宏力90纳米eNVM工艺已成功量产。应对迅猛发展的微控制器(MCU)市场，华虹宏力推出了业界领先的0.11 微米超低漏电(ULL)嵌入式闪存及eEEPROM技术平台，可提供全面、灵活、极具竞争力的解决方案。

　　功率器件技术平台是华虹宏力又一战略重点。随着新能源汽车、智能家电等市场劲升，功率器件需求量大幅上涨。华虹宏力作为全球首家、最大的功率分立器件200mm代工厂，在功率器件产品稳定量产上拥有15年的经验，可为客户提供独特的、富有竞争力的超级结MOSFET(SJNFET)和场截止型IGBT(FS IGBT)工艺。值得一提的是，此次获奖的“600V-1200V场截止型IGBT芯片制造工艺技术”可提供深沟槽刻蚀、钝化、超薄片加工(包括背面注入、激光退火、背面金属化)等国际领先技术。IGBT作为功率器件的主流发展方向，已在变频家电、工业控制、汽车电子、新能源、智能电网等诸多领域获得广泛应用，市场前景广阔。华虹宏力将持续创新，致力于为客户提供高品质、高可靠性的IGBT芯片制造代工服务。

　　另外，作为完整的功率IC代工方案提供商，华虹宏力还拥有久经验证的CMOS模拟和更高功率密度的BCD/CDMOS工艺平台，为PMIC、智能电表、快速充电等热点应用打造高能效、低成本、质量可靠的工艺平台。