开关电源设计及过程概述

　　一、概论

　　开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。开关电源和线性电源相比，二者的成本都随着输出功率的增加而增长，但二者增长速率各异。线性电源成本在某一输出功率点上，反而高于开关电源，这一点称为成本反转点。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术也在不断地创新，这一成本反转点日益向低输出电力端移动，这为开关电源提供了广阔的发展空间

　　电源有如人体的心脏，是所有电设备的动力。但电源却不像心脏那样形式单一。因为，标志电源特性的参数有功率、电源、频率、噪声及带载时参数的变化等等；在同一参数要求下，又有体积、重量、形态、效率、可靠性等指标，人可按此去"塑造"和完美电源，因此电源的形式是极多的。

　　随着电力电子技术的高速发展，电力电子设备与人们的工作、生活的关系日益密切，而电子设备都离不开可靠的电源，进入80年代计算机电源全面实现了开关电源化，率先完成计算机的电源换代，进入90年**关电源相继进入各种电子、电器设备领域，程控交换机、通讯、电子检测设备电源、控制设备电源等都已广泛地使用了开关电源，更促进了开关电源技术的迅速发展。开关电源是利用现代电力电子技术，控制开关晶体管开通和关断的时间比率，维持稳定输出电压的一种电源，开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。开关电源和线性电源相比，二者的成本都随着输出功率的增加而增长，但二者增长速率各异。线性电源成本在某一输出功率点上，反而高于开关电源，这一成本反转点。随着电力电子技术的发展和创新，使得开关电源技术在不断地创新，这一成本反转点日益向低输出电力端移动，这为开关电源提供了广泛的发展空间。

　　一般电力要经过转换才能符合使用的需要。转换的例子有：交流转换成直流，高电压变成低电压，大功率中取小功率等等。

　　开关电源的工作原理是：

　　1.交流电源输入经整流滤波成直流；

　　2.通过高频PWM(脉冲宽度调制)信号控制开关管，将那个直流加到开关变压器初级上；

　　3.开关变压器次级感应出高频电压，经整流滤波供给负载；

　　4.输出部分通过一定的电路反馈给控制电路，控制PWM占空比，以达到稳定输出的目的。

　　开关电源设计全过程

　　1 目的

　　希望以简短的篇幅，将公司目前设计的流程做介绍，若有介绍不当之处，请不吝指教。

　　2 设计步骤：

　　2.1 绘线路图、PCB Layout.

　　2.2 变压器计算。

　　2.3 零件选用。

　　2.4 设计验证。

　　3 设计流程介绍(以DA-14B33为例)：

　　3.1 线路图、PCB Layout请参考资识库中说明。

　　3.2 变压器计算：

　　变压器是整个电源供应器的重要核心，所以变压器的计算及验证是很重要的，以下即就DA-14B33变压器做介绍。

　　3.2.1 决定变压器的材质及尺寸：

　　依据变压器计算公式

　　B(max) = 铁心饱合的磁通密度(Gauss)

　　Lp = 一次侧电感值(uH)

　　Ip = 一次侧峰值电流(A)

　　Np = 一次侧(主线圈)圈数

　　Ae = 铁心截面积(cm2)

　　B(max)依铁心的材质及本身的温度来决定，以TDK Ferrite Core PC40为例，100℃时的B(max)为3900 Gauss，设计时应考虑零件误差，所以一般取3000~3500 Gauss之间，若所设计的power为Adapter(有外壳)则应取3000 Gauss左右，以避免铁心因高温而饱合，一般而言铁心的尺寸越大，Ae越高，所以可以做较大瓦数的Power.

　　3.2.2 决定一次侧滤波电容：

　　滤波电容的决定，可以决定电容器上的Vin(min)，滤波电容越大，Vin(win)越高，可以做较大瓦数的Power，但相对价格亦较高。

　　3.2.3 决定变压器线径及线数：

　　当变压器决定後，变压器的Bobbin即可决定，依据Bobbin的槽宽，可决定变压器的线径及线数，亦可计算出线径的电流密度，电流密度一般以6A/mm2为参考，电流密度对变压器的设计而言，只能当做参考值，最终应以温昇记录为准。

　　3.2.4 决定Duty cycle (工作周期)：

　　由以下公式可决定Duty cycle ，Duty cycle的设计一般以50%为基准，Duty cycle若超过50%易导致振荡的发生。

　　NS = 二次侧圈数

　　NP = 一次侧圈数

　　Vo = 输出电压

　　VD= 二极体顺向电压

　　Vin(min) = 滤波电容上的谷点电压

　　D =工作周期(Duty cycle)

　　3.2.5 决定Ip值：

　　Ip = 一次侧峰值电流

　　Iav = 一次侧平均电流

　　Pout = 输出瓦数

　　效率

　　PWM震荡频率

　　3.2.6 决定辅助电源的圈数：

　　依据变压器的圈比关系，可决定辅助电源的圈数及电压。

　　3.2.7 决定MOSFET及二次侧二极体的Stress(应力)：

　　依据变压器的圈比关系，可以初步计算出变压器的应力(Stress)是否符合选用零件的规格，计算时以输入电压264V(电容器上为380V)为基准。

　　3.2.8 其它：

　　若输出电压为5V以下，且必须使用TL431而非TL432时，须考虑多一组绕组提供Photo coupler及TL431使用。

　　3.2.9 将所得资料代入 公式中，如此可得出B(max)，若B(max)值太高或太低则参数必须重新调整。

　　3.2.10 DA-14B33变压器计算：

　　输出瓦数13.2W(3.3V/4A)，Core = EI-28，可绕面积(槽宽)=10mm，Margin Tape =？ 2.8mm(每边)，剩余可绕面积=4.4mm.

　　假设fT = 45 KHz ，Vin(min)=90V，？ =0.7，P.F.=0.5(cosθ)，Lp=1600 Uh

　　计算式：

　　变压器材质及尺寸：l

　　由以上假设可知材质为PC-40，尺寸=EI-28，Ae=0.86cm2，可绕面积(槽宽)=10mm，因Margin Tape使用2.8mm，所以剩余可绕面积为4.4mm.

　　假设滤波电容使用47uF/400V，Vin(min)暂定90V.

　　决定变压器的线径及线数：

　　假设NP使用0.32ψ的线

　　电流密度=

　　可绕圈数=

　　假设Secondary使用0.35ψ的线

　　电流密度=

　　假设使用4P，则

　　电流密度=

　　可绕圈数=

　　决定Dutyl cycle：

　　假设Np=44T，Ns=2T，VD=0.5(使用schottky Diode)

　　决定Ip值：

　　决定辅助电源的圈数：

　　假设辅助电源=12V

　　NA1=6.3圈

　　假设使用0.23ψ的线

　　可绕圈数=

　　若NA1=6Tx2P，则辅助电源=11.4V

　　决定MOSFET及二次侧二极体的Stress(应力)：

　　MOSFET(Q1) =最高输入电压(380V)+ =

　　=463.6V

　　Diode(D5)=输出电压(Vo)+ x最高输入电压(380V)=

　　=20.57V

　　Diode(D4)=

　　= =41.4V

　　其它：

　　因为输出为3.3V，而TL431的Vref值为2.5V，若再加上photo coupler上的压降约1.2V，将使得输出电压无法推动Photo coupler及TL431，所以必须另外增加一组线圈提供回授路径所需的电压。

　　假设NA2 = 4T使用0.35ψ线，则

　　可绕圈数= ，所以可将NA2定为4Tx2P

　　变压器的接线图：

　　3.3 零件选用：

　　零件位置(标注)请参考线路图： (DA-14B33 Schematic)

　　3.3.1 FS1：

　　由变压器计算得到Iin值，以此Iin值(0.42A)可知使用公司共用料2A/250V，设计时亦须考虑Pin(max)时的Iin是否会超过保险丝的额定值。

　　3.3.2 TR1(热敏电阻)：

　　电源启动的瞬间，由於C1(一次侧滤波电容)短路，导致Iin电流很大，虽然时间很短暂，但亦可能对Power产生伤害，所以必须在滤波电容之前加装一个热敏电阻，以限制开机瞬间Iin在Spec之内(115V/30A，230V/60A)，但因热敏电阻亦会消耗功率，所以不可放太大的阻值(否则会影响效率)，一般使用SCK053(3A/5Ω)，若C1电容使用较大的值，则必须考虑将热敏电阻的阻值变大(一般使用在大瓦数的Power上)。

　　3.3.3 VDR1(突波吸收器)：

　　当雷极发生时，可能会损坏零件，进而影响Power的正常动作，所以必须在靠AC输入端 (Fuse之後)，加上突波吸收器来保护Power(一般常用07D471K)，但若有价格上的考量，可先忽略不装。

　　3.3.4 CY1，CY2(Y-Cap)：

　　Y-Cap一般可分为Y1及Y2电容，若AC Input有FG(3 Pin)一般使用Y2- Cap ， AC Input若为2Pin(只有L，N)一般使用Y1-Cap，Y1与Y2的差异，除了价格外(Y1较昂贵)，绝缘等级及耐压亦不同(Y1称为双重绝缘，绝缘耐压约为Y2的两倍，且在电容的本体上会有"回"符号或注明Y1)，此电路因为有FG所以使用Y2-Cap，Y-Cap会影响EMI特性，一般而言越大越好，但须考虑漏电及价格问题，漏电(Leakage Current )必须符合安规须求(3Pin公司标准为750uA max)。　　3.3.5 CX1(X-Cap)、RX1：

　　X-Cap为防制EMI零件，EMI可分为Conduction及Radiation两部分，Conduction规范一般可分为： FCC Part 15J Class B 、 CISPR 22(EN55022) Class B 两种 ， FCC测试频率在450K~30MHz，CISPR 22测试频率在150K~30MHz， Conduction可在厂内以频谱分析仪验证，Radiation 则必须到实验室验证，X-Cap 一般对低频段(150K ~ 数M之间)的EMI防制有效，一般而言X-Cap愈大，EMI防制效果愈好(但价格愈高)，若X-Cap在0.22uf以上(包含0.22uf)，安规规定必须要有泄放电阻(RX1，一般为1.2MΩ 1/4W)。

　　3.3.6 LF1(Common Choke)：

　　EMI防制零件，主要影响Conduction 的中、低频段，设计时必须同时考虑EMI特性及温昇，以同样尺寸的Common Choke而言，线圈数愈多(相对的线径愈细)，EMI防制效果愈好，但温昇可能较高。

　　3.3.7 BD1(整流二极体)：

　　将AC电源以全波整流的方式转换为DC，由变压器所计算出的Iin值，可知只要使用1A/600V的整流二极体，因为是全波整流所以耐压只要600V即可。

　　3.3.8 C1(滤波电容)：

　　由C1的大小(电容值)可决定变压器计算中的Vin(min)值，电容量愈大，Vin(min)愈高但价格亦愈高，此部分可在电路中实际验证Vin(min)是否正确，若AC Input 范围在90V~132V (Vc1 电压最高约190V)，可使用耐压200V的电容；若AC Input 范围在90V~264V(或180V~264V)，因Vc1电压最高约380V，所以必须使用耐压400V的电容。

　　Re：开关电方设计过祘

　　3.3.9 D2(辅助电源二极体)：

整流二极体，一般常用FR105(1A/6