单片机中数据存储介质区别

首先是RAM,​分为两种，静态随机存储器（SRAM）与动态随机存储器（DRAM），顾名思义，动态随机存储器需要不停的刷新，静态功耗比较大，所以单片机中大都采用静态随机存储器，不需要刷新，静态功耗相对来说很低。此外，静态随机存储器相比动态随机存储器也有其缺点，电路复杂集成度低，所以一般容量较小。------另：SRAM的读取速度相当快，由于它的造价高，主要用作计算机中的高速缓存存储器(Cache)。DRAM虽然读取速度较慢，但它的造价低廉，集成度高，宜于作为系统所需的大容量“主存”，所以DRAM主要制造成计算机中的内存条，目前，市面上主要有使用DRAM芯片制成的普通内存条。​

重点来说说ROM，以前的紫外线擦除EPROM略过不谈，重点表一表现在单片机中主要用的EEPROM与FLASH，其实FLASH也是电可擦除，掉电不失的数据存储器，是一种广义上的ROM，为做区分，称其为FLASH。

EEPROM的特点是可以随意访问和修改其中的任何一个字节，可以往每一个bit位中写0或写1，操作比FLASH简单快捷，通常用于存放需要频繁改写的数据。但因其组成电路复杂成本高，所以容量一般都不是很大，​一般都是几十K字节或几百K字节，很少有超过512k字节的。

FLASH也是电可擦除的一种广义上的ROM,分为两种NORFLASH​，与NAND FLASH；

NORFLASH​​具备地址线与数据线，可以像RAM一样随机访问每一个字节，但是擦除的时候是按块来擦除的，所以一次简化了电路，数据密度更高，成本也降低了，一般上M的存储器都是FLASH。

NAND FLASH地址线与数据线是复用的，读取按页来读取，擦除按块来擦除，所以电路更简单，数据密度更大了，大容量的一般都是nand flash，而2M到12M的都是NOR FLASH。

​NAND FLASH地址线与数据线是复用的，所以在读取速度上要慢一些,由于nor flash 可以对字节进行操作，所以程序可以直接在nor flash中运行，而不需要将其调入到RAM后执行。而在nand flash 放入操作系统等。

​