STM32掉电检测+Flash存取
1、搞定Flash擦、写函数。
voidF_ErasePage(u32Page_Address)
{
U32tmp;
while((FLASH->SR&FLASH_FLAG_BSY)==FLASH_FLAG_BSY)
{//PutCnstStr2Usart1("waitingn");}
FLASH->SR|=FLASH_FLAG_PGERR;
FLASH->CR|=CR_PER_Set;
FLASH->AR=Page_Address;
FLASH->CR|=CR_STRT_Set;
while((FLASH->SR&FLASH_FLAG_BSY)==FLASH_FLAG_BSY)
{//PutCnstStr2Usart1("waitingn");}
FLASH->CR&=~CR_PER_Set;//这个不能忘
}
voidFLASH_Program(u32Address,u16Data)
{
U32tmp;
Fstart:
if((FLASH->CR&CR_LOCK_Set)==CR_LOCK_Set)//如果写被锁死
{
FLASH->KEYR=FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR=FLASH_KEY2;
//PutCnstStr2Usart1("Unclockn");
}
while((FLASH->SR&FLASH_FLAG_BSY)==FLASH_FLAG_BSY)
{
//PutCnstStr2Usart1("waitingn");
}
FLASH->CR|=CR_PG_Set;
*(vu16*)Address=Data;
FLASH->CR&=~CR_PG_Set;
if((FLASH->SR&FLASH_FLAG_PGERR)==FLASH_FLAG_PGERR)
{
//PutCnstStr2Usart1("Noearasen");
F_ErasePage(Address);
gotoFstart;//竟然用了goto，咳咳^_^
}
}
有了这两个函数基本就行了，反正一次要擦一个page，全拿过来保存参数就行了，比较可靠。
U16constflashdata[1024]__at(0x08001000);//因为flash一次能且只能写16bit，另外访问奇地址会出错。
还有不要忘了#include，绝对定位全靠它了。
将要保存的参数放到一个结构里面，每次上电复位的时候加载，需要存储时写入flash
2、搞定掉电检测
voidPVD_Init(void)
{
NVIC_InitTypeDefNVIC_InitStruct;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannel=PVD_IRQChannel;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelPreemptionPriority=0x00;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelSubPriority=0x00;
NVIC_InitStruct.NVIC_IRQChannelCmd=ENABLE;
RCC_APB1PeriphClockCmd(RCC_APB1Periph_TIM2|RCC_APB1Periph_TIM3|
RCC_APB1Periph_TIM4|RCC_APB1Periph_USART2|RCC_APB1Periph_PWR,ENABLE);//_PWR,ENABLE);//这个是必需的
PWR->CR|=1<<4;//使能
PWR->CR|=0xE0;//2.9V检测
NVIC_Init(&NVIC_InitStruct);//借用一下库，允许中断
}
寄存器设置有效，手动置相应中断标志可进入中断
3、联合工作，失败
voidPVD_IRQHandler(void)
{
U16i;
U32tmp;
tmp=0x08001000;
if((PWR->CSR&PWR_FLAG_PVDO)==PWR_FLAG_PVDO)//低于阈值（电压回升也会中断）
{
F_ErasePage(tmp);
for(i=0;i<2000;i++)
{
FLASH_Program(tmp,i);
tmp+=2;
}
}
}
分析：1、Vdda经过LC滤波可能会比Vdd掉的慢，而据说stm32会因此产生检测问题。2、电源回路电容量小，时间来不及。
尝试：从ATX电源上拆了一个1000uF的电容，接上，无改善。
思考：把掉电检测跟电源脚做在一起实在意义不大，一般情况下MCU的电源都是经过LDO稳压的，掉电检测使用专门的IO，可以用稳压器前的电压用于检测。
由于目前还不能对电路板进行破坏性改造，手头也没有示波器，可调电源，暂时放弃对此做进一步的研究。
套用某大人物的逻辑，这次尝试是部分失败
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