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用电压控制频率的LC振荡电路

作者:时间:2016-11-08来源:网络收藏

的LC振荡电路
要改变LC振荡电路之振荡的方法时,可以改变线圈或者电容器的数值,若将此电容器以变容二极体取代的话,以电压值改变容量就可以使振荡产生变化。这样的结构称为VCO(Voltage Controlled Oscillator)电路,由於采用容量变化量较大的变容二极体,所以能组成振荡频率变化量宽广之振荡电路。
●VCO电路(1)

图23-1之电路系柯尔必兹振荡电路,二个可变电容器以变容二极体取代之,变容二极体1SV100(东芝)系AM调谐用之元件,容量变化范围由20PF~400PF,因此,容量的变化比为Cmax/Cmin=20,振荡频率的变化范围就可以制作得很宽广,但是变容二极体是半导体元件,所以在特性上会有些误差,故在使用之前要别特性相似之变容二极体。至於线圈则使用10K
型之线圈基座,在一次侧绕6圈,二次侧绕二圈,在共振电路上接阻尼(Damping)电阻是要使振荡
频率变化时,输出电平的变化不要太大。此电路之变容二极体上的控制电压在0~12V间变化时,振荡频率大约在10MHz~70MHz间变化,但是加於变容二极体上的控制电压降低时,振荡电平就会急骤的下降,因此,实用振荡范围在20~70MHz左右。当OUT端子接上470Ω之电阻时,於40MHz,振荡频率的电平大约有300mV,电平的变动於20~70MHz之间都在-6dB之范围内。

图23-2是FM调谐器(Tuner)的本地振荡电路,此电路系柯尔必兹电路的变形电路,称为克拉普( Clapp)电路,至於改变频率的元件则使用背向变容二极体( PairDiode Varicap)1SV55,系以直流容量。由於1SV55之内部有两个特性相近的变容二极体背向接在一起,因此,即使於Q值高的电路有足以使二极体导通的大振幅信号加於其上,因为任何一个二极体都是逆向的,所以并不会导通,振荡电路就不会有异常动作的顾虑。1SV55之端子间容量变化由40PF(VR =3V)至2.5PF(VR=30V),当0~9V的控制电压加於此电路上时,振荡频率的范围在60~90MHz。



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