ARM 加速推动 7 纳米芯片进程，终端预计于 2018 年问世

　　据海外媒体报道，ARM 于 12 日宣布，将参与 IMEC (欧洲微电子研究中心)代号为 INSITE 的计划，借此以强化双方的合作。据了解，INSITE 计划乃是致力于优化集成电路设计、系统层面架构的功耗表现，并且产品提高性能与降低成本。

　　ARM 表示，本次合作的重点是 7 纳米制程及其以上的半导体芯片为主。未来，两者进一步合作后，预计将可透过学习新技术与设计目标，加速半导体芯片的性能提升，使其在 INSITE 计划下的战略性产品能够尽早进入市场。

　　2009 年 IMEC 即启动的 INSITE 计划，目前有 10 个企业或单位加入，其目的在于要帮助企业或单位预测新技术，以设计出符合下一代系统的设计和应用。而且，借由 INSITE 计划中假设的学习过程，可以适当调整设计目标和权衡预期系统的性能状态，确认相关产品未来的发展路线，借由早期技术回馈，能在产品设计的早期就决定变化。如此，不但加快企业或单位在新技术项目上的学习周期，更可降低风险的科技应用。

　　而在 INSITE 计划下，根据最近一次的成果展现是预计 2016 年 10 到 12 月间，台积电将会量产 10 纳米 FinFET 制程的联发科 Helio X30 ，以及华为麒麟 970 芯片。而华为的麒麟 970 芯片将有望于 11 月上市的 Mate 9 智能型手机上被采用。至于，安装 7 纳米制程芯片的智能手机，则预计将会在 2018 年左右登场。