叉指结构在单片晶体滤波器中的应用

摘要：剖析了一种复合型宽带单片式晶体滤波器。从单片晶体滤波器和又指换能器的原理出发对该滤波器进行了理论分析，然后使用仿真软件模拟了叉指结构对单片式晶体滤波器的影响。最后通过实验证明了插指结构对晶体滤波器具有调整矩形系数，增加带外抑制和频率微调的作用。
关键词：单片晶体滤波器；插指换能器；矩形系数；带外抑制

0 引言
滤波器是频率选择系统中的关键元器件，在通信、导航、广播电视、宇航工程的电子设备中，占有重要的地位。随着1963年能陷理论的出现，在1966年日本东京大学工业科学学院和美国贝尔实验室分别研制出单片式晶体滤波器(MCF)。单片晶体滤波器通过在压电材料的基片上应用真空镀膜的方式，镀上若干有确定位置和确定尺寸形状的电极，按照滤波的需求有目的的通过设计来确定每个谐振器的几何尺寸，镀回频率以及谐振器之间的距离，来控制机械振动波在基片上的传播，从而达到将电信号滤波的目的。

1 单片式宽带晶体滤波器简介
石英晶体滤波器具有插入损耗小，稳定度高，品质因数高等特点，但是石英晶体也有机电耦合系数小，串并联谐振频率间隔小的固有局限性，通常用于实现相对带宽在0．35％以下的滤波器，对于相对带宽超过1％的滤波器就必须在晶体滤波器中加入展宽线圈，通过串联或者并联电感来调节晶体谐振器的串联或并联谐振频率，从而达到展宽频带的作用；铌酸锂、钽酸锂等材料制作宽带晶体滤波器因为其机电耦合系数大，是石英晶体的5～6倍，制作的晶体滤波器相对带宽能够达到0．2％～5％，但铌酸锂、钽酸锂材料温度稳定性不如石英晶体；近些年来发展的硅酸镓镧等新型晶体滤波器，能够制作出相对带宽在0．3％～0．8％之间相对比较宽的性能优良的宽带晶体滤波器。
在某型设备中，应用了大量的晶体滤波器，通过对种类繁多的晶体滤波器研究后发现：与普通4极点晶体滤波器不同的是，在这些晶体滤波器内部存在由叉指结构组成的区域，这里称为微调区，其中以这款中心频率为12．1 MHz，3 dB带宽，240 kHz的宽带晶体滤波器最具有典型代表意义。

通过图1可以看出该单片式晶体滤波器是典型的4极点单片晶体滤波器，并且在输入和输出端加入了辅助放大电路，这样设计的好处是滤波器的频率特性内部已调试好，使用者无需任何外部补偿，便于滤波器在各种产品中应用。
微调区由左右对称的指间距均匀等指长的叉指结构组成，如图2所示。