IGBT驱动芯片IXDN404应用及改进

2.1 正常开通过程

当控制信号为高电平时，快速光耦6N137导通，经过一级反相，输入IXDN404，输出＋15V脉冲，IGBT正常导通。同时，由于光耦输出为反相，V4截止，V5导通，C1由电源充电，C1电压不会超过9V，这是因为IGBT正常导通时Vces不高于3V，二极管D2导通，A点电位箝位在8V，加上电阻R10的压降，C点电位接近9V。Z1截止，V2截止，V1导通，B点电位接近20V；Z2截止，V3截止，D点电位接近B点电位。C1充电时间常数τ1=R9×C1=2.42μs，C1充电到9V的时间为

t1=τ1ln=1.45μs（1）

2.2 正常关断过程

当控制信号为低电平，光耦输出高电平，反相输出低电平，由于Z3箝位IXDN404输出脉冲为－5V，IGBT正常关断。这时，V4导通，V5截止，C点电位保持在9V；Z1截止，V2截止，V1导通，B点电位接近20V；Z2截止，V3截止，D点电位接近B点电位。

2.3 保护过程

设IGBT已经导通，各点电位如2.1所说。当电路过流时，IGBT因承受大电流而退出电阻区，Vces上升，二极管D2截止，A点对电容C1的箝位作用消失；C点电位从9V上升，同时Z1反向击穿，V2导通，V1截止，B点电位由R1和Rc以及IXDN404芯片内阻分压决定，箝位在15V，栅压降为10V。栅压的下降可有效地抑制故障电流并增加短路允许时间。降栅压运行时间为

t2=τ1ln=1.09μs（2）

如果在这段时间内，电路恢复正常，D2导通，A点继续箝位，V2截止，V1导通，电路恢复2.1所说状态。如果D2仍处于断态，也就是故障电流仍然存在，C点电压继续上升，经过t2时间上升到13V，Z2反向击穿，V3导通，电容C2通过电阻R12放电，D点与B点电位同时下降，IGBT栅压逐渐下降，实现慢关断过程，避免了正常关断大电流时所引起的过电压。慢关断过程时间为t3，由C2和R12决定。由IXDN404工作电压范围为4.5～25V，τ2=R12×C2=4.84μs，可知

t3=τ2ln=5.83μs（3）

另外，在IGBT开通过程中，如果二极管D2不能及时导通，将造成保护电路的误动作，因此D2要选择快速二极管，也可通过适当增加Z1稳压值和增大电阻R9以增大C1充电时间常数延长保护电路动作时间。但这与保护动作的快速性相矛盾，具体应用时要根据实际电路要求和功率器件的特性作出折中的选择。

2.4 几点说明

1）为使驱动功率达到最大，本电路将两路输入输出并联使用，最大驱动峰值电流可达8A，这个峰值电流是由电容Cc瞬间放电产生；

2）光耦6N137输出为输入反相，IXDN404为同相输入输出，为保证控制逻辑正确，中间需加一级反相器，也可采用带反相的IXDI404；

3）图2中可在E点处加入一个光耦，其输出可作为短路保护信号送给控制逻辑，以封锁本路及其它各路的PWM信号，确保主电路安全；

4）IXDN404驱动电路对脉冲信号非常敏感，实际操作时要保证连线尽量短，输出要用双绞线接IGBT，电路所用元器件也可采用贴片式，既缩小驱动电路体积，也提高了工作稳定度。

图3为实测IGBT的门极驱动信号，其中通道1为输入控制信号，通道2为输出驱动信号。所用IGBT为仙童公司HGTG18N120BND。从图中可以看出驱动电路延迟时间仅为100ns。其中图3（d）为模拟IGBT过流时的保护波形，首先降栅压运行，然后慢关断，最后由于低电压供电，IXDN404输出驱动电压封锁在－2V左右。

（a）100kHz时的驱动波形

（b）100kHz时的上升过程

（c）100kHz时的下降过程

（d）20kHz时保护波形

图3 电路实测驱动波形

3 结语

由IXDN404组成的IGBT驱动与保护电路可满足IGBT驱动要求，其特点可归纳如下：

——驱动电源＋20V单路供电，驱动栅压＋15V～－5V；

——最大驱动峰值电流可达8A，满足大功率IGBT驱动要求；

——电路信号延迟时间短，工作频率可以达到100kHz或者更高，可适应大多数电路需要；

——可实现过流保护及降栅压慢关断功能；

——电路成本相对较低。

综上所述，这种驱动保护电路是一种低成本、高性能的IGBT驱动电路。