一种高电源抑制的基准源的设计
2 仿真与分析
本次设计的仿真基于ASMC的1 μm的高压BCD工艺。
2．1 启动仿真
图4是工艺角为tt，t=27℃时的启动仿真，此基准需要3 μs就可建立正常状态，这是由于基准核心中的Cc1选取为比较小的2 pF的结果，这样做的另一个结果就是中频PSR有所降低，实际电路可根据需要选取Cc1的大小，如果需要中频PSR较大，但对启动时间要求较低时，可以选取大Cc1(如Cc1选取10pF，则最高PSR将降为-28dB，但启动时间升至10μs)。LDO、ref、bg的启动过程比较平稳，没有过冲现象。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/178795.htm
MBC控制作用的简述：在1μs时流过100μA的启动电流，当LDO、ref、bg建立最低工作电压后，启动电路开始关断过程，电流急剧减小，并最终在2μs时接近0A。整个电路正常运行时消耗的电流是266μA。
2．2 温漂仿真
图5为不同工艺角下的温漂仿真。仿真结果表明，此电路可以达到ref-45 ppm、bg-7．5 ppm的低温漂。实际电路存在器件的不匹配和误差等，虽然达不到理论上的温漂，但通过仔细布版、修调带隙核心电路中Rc1、Rc2，可以达到较低的温漂。
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