新闻中心

EEPW首页 > 电源与新能源 > 设计应用 > 一种高电源抑制的基准源的设计

一种高电源抑制的基准源的设计

作者:时间:2011-08-03来源:网络收藏


2.3 PSR的仿真
图6为工艺角tt,vcc=8.5V,t=27℃时的PSR的仿真,此干扰的能力较强,4.75V输出电压在工作频率60 k左右时的PSR达到了-75.1 dB,能有效由半桥产生的震荡;而且对来自数字部分的高频震荡也有较强的能力。

j.jpg


表1为输出电压bg在不同工艺角下的PSR的仿真结果,本电路在不同工艺角下都能在高干扰的芯片中正常工作。

k.jpg



3 结论
本文通过结合LDO与Brokaw核心,出了高PSR的带隙,此带隙基准输出的1.186 V电压的低频PSR为-145 dB,最高PSR为-36 dB,温漂可以达到7.5 ppm,适用于电子镇流器芯片。本还优化了启动部分,使新的带隙基准可以在短时间内顺利启动。此电路根据需要还可以修改基准核心中的Rc3、Rc4,采用多段电阻分压方式,以输出多种参考电压,方便灵活定制芯片。

电子镇流器相关文章:电子镇流器工作原理


电子镇流器相关文章:



上一页 1 2 3 4 下一页

关键词: 设计 基准 抑制 电源

评论


相关推荐

技术专区

关闭