分压-自偏压共源放大电路的Multisim仿真研究
4 温度特性分析
使用Multisim仿真软件，选择Simulate／Analysis／Temperature Sweep Analysis／Transient Analysis命令，环境温度分别设置为0℃，60℃，120℃，180℃，观察输出电压的瞬态变化，如图7所示。由图7可见，当环境温度分别为0℃，60℃，120℃时，输出波形不随温度改变；当环境温度为180℃时，输出波形幅度有微小改变。这说明场效应管的性能受温度的影响很小，只有在环境温度非常高时对其性能有微小的影响。
5 结语
通过从理论和实验仿真两个方面对N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路进行分析和论证，证明了理论分析的正确性及实验仿真的可靠性。针对不同性能参数的元件，通过运用Multisim软件中庞大的元器件库和虚拟仪器仪表以及各种完善的分析方法，用仿真数据及曲线直观地描述分压-自偏压共源放大电路的静态、动态及温度特性，总结出研究N沟道增强型MOS场效应管组成的分压-自偏压共源放大电路的方法，其形象、直观的图表对电路理论的正确理解具有一定的促进作用。
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