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pmos 文章

设计超低功耗的嵌入式应用:简化电源域

  •   不是所有便携式系统都像图1(参见本系列文章的第二部分)所示的系统这么简单。图3给出了可穿戴电子设备的典型方框图。由于存在大量功能块和子系统,设计复杂性进一步提高。        图3:手表的高层次方框图   一个符合逻辑的办法是将整个系统拆分为不同的子系统,并分析各个子系统的功耗。这也有助于简化电源域的设计,从而实现低功耗功能。   显示和触摸控制器部分的功耗主要取决于背光驱动和显示屏本身。大多数设计都针对显示屏采用基于定时器的超时断电模式。一般说来,在固定时间T1后,背光会降
  • 关键字: CPU  PMOS  NMOS  

从4004到core i7——处理器的进化史-CPU构成零件-5

  • 前面我说过,要顺带介绍一下除了CMOS之外的逻辑电路。所以下面我们看一看都有哪些选择,以及各自的利弊吧。
  • 关键字: CMOS  PMOS  传输门  NMOS  CPU  

从4004到core i7——处理器的进化史-CPU构成零件-4

  • 上一帖我们说到了IC的性能取决于R与C的乘积。看到留言后我发现还必须补充一个遗漏的事实:当器件的尺寸变得越来越小,连线在IC中越来越成为一个瓶颈。这是由于一个非常简单的原因:连线相对于器件的尺寸来说越来越长了。
  • 关键字: EDA  CMOS  CPU  反相器  PMOS  

用PMOS块制作的电子打击乐器电路及原理

  • 这里介绍一种用PMOS集成电路构成的电子打击乐器。它可以产生板、鼓、叉等八种打击乐的音响效果。如与时序脉冲电路配合,可以组成电子琴中的自动打击乐伴奏电路。由于采用了集成电路,结标简单,使用元件少,用6伏电源
  • 关键字: 电路  原理  打击乐器  电子  制作  PMOS  

CMOS工艺PMOS压控变容特性研究

  • 1.2 PMOS的变容管连接及其压控特性分析   图2为PMOS管连接成压控可变电容的示意图。具体是将漏、源和衬 ...
  • 关键字: CMOS  PMOS  

手机充电电路主流方案解析

  • 虽然目前市面上的手机品牌众多,但其充电回路大致相同,都采用基于PMOS的充电电路。使用PMOS时易于以较低电...
  • 关键字: 手机充电器  PMOS  三极管  

PMOS开关管的选择与电路设计

  • 首先要进行MOSFET的选择,MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其开关导通。导通时,电流可经开关从漏极流向源极。漏极和源极之间
  • 关键字: 电路设计  选择  开关  PMOS  

PMOS开关管的选择与电路图

  • 首先要进行MOSFET的选择,MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。当在N沟道M...
  • 关键字: PMOS  开关管  MOSFET  二极管  

集成PMOS管变容特性分析与仿真建模

  • 摘要:为适应PMOS变容管在集成电路设计中的晶体管级仿真,在分析MOS变容管特性的基础上,通过确定关键点、以曲线拟合的方法建立与工艺参数相关的PMOS集成变容管高频特性模型。选用Charted 0.35mu;m这个特定的工艺库
  • 关键字: 仿真  建模  分析  特性  PMOS  管变容  集成  

手机充电管理设计要点及主流方案解析

  • 虽然目前市面上的手机品牌众多,但其充电回路大致相同,都采用基于PMOS的充电电路。使用PMOS时易于以较低电压控...
  • 关键字: 手机充电管理  主流方案  PMOS  

用PMOS块制作的电子打击乐器电路图

  • 这里介绍一种用PMOS集成电路构成的电子打击乐器。它可以产生板、鼓、叉等八种打击乐的音响效果。如与时序脉冲电路配合,可以组成电子琴中的自动打击乐伴奏电路。由于采用了集成电路,结标简单,使用元件少,用6伏电源
  • 关键字: 电路图  打击乐器  电子  制作  PMOS  

OLED显示器及其馈电技术

  •   有机LED图形显示器正在图像质量和低功耗两个方面与LCD进行较量   要 点 • OLED(有机发光二极管)显示器与LCD相比,虽然成本较高,但功耗却很低。 • 随着OLED制造工艺的成熟和产量的攀升,功率转换器制造商正在开始制造用于OLED显示器的IC。 • 不可以不变应万变:根据OLED显示器类型的不同,所需的电源电压和电流也随之改变。在功率转换器的应用系统清单上,“OLED”这个词并不保证该器件适合
  • 关键字: PMOS  Maxim  

1972年,中国第一块PMOS型LSI电路研制成功

  •   1972年,中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。
  • 关键字: LSI  PMOS  

1972年1月1日,中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功

  •   中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功
  • 关键字: LSI  PMOS  
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pmos介绍

PMOS是指n型衬底、p沟道,靠空穴的流动运送电流的MOS管   全称 : positive channel Metal Oxide Semiconductor   别名 : positive MOS   金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类, P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区,分别叫做源极和漏极,两极之间不通导,栅极上加有足够的正电压(源 [ 查看详细 ]

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