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PMOS开关管的选择与电路设计

作者:时间:2011-08-28来源:网络收藏

首先要进行MOSFET的,MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气。当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时,其导通。导通时,电流可经从漏极流向源极。漏极和源极之间存在一个内阻,称为导通电阻RDS(ON)。必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端,因此,总是要在栅极加上一个电压。这就是后面介绍电路图中栅极所接电阻至地。如果栅极为悬空,器件将不能按设计意图工作,并可能在不恰当的时刻导通或关闭,导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时,开关关闭,而电流停止通过器件。虽然这时器件已经关闭,但仍然有微小电流存在,这称之为漏电流,即IDSS。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/178683.htm

  

  第一步:选用N沟道还是P沟道

  为设计正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中,当一个MOSFET接地,而负载连接到干线电压上时,该MOSFET就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于对电压驱动的考虑。

  第二步:确定额定电流

  第二步是MOSFET的额定电流。视电路结构而定,该额定电流应是负载在所有情况下

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