一种单级长延时电路的设计
2 单级宽脉宽产生电路原理图
单级宽脉宽产生电路如图3所示，基本工作原理如下：输入VIN为低态时，P1管导通，结点2被拉到高电平，结点3变为低电平，N3管关断，同时结点6变为高电平使N2管导通，将结点4拉低，此时输出电压VOUT变为低电平。当VIN变为高态时，结点6的电平变低，N2管关断，结点2，3的状态保持不变，N3管任然关断，此时恒定电流源IDC对电容C1进行充电，当电容C1充电到VTH时，反向器状态开始翻转，充电到使反相器状态完全翻转时，结点5变为高电平，N1导通，结点2被拉低，VOUT变为高电平。这样实现了低脉冲被锁到VOUT，只有电容C1被充电到一定值时，输出VOUT才发生翻转。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/177782.htm
令C1被充电到VC时，VOUT从低变高，充电时间为TR，输入VIN低脉冲宽度为WIN，输出低脉冲宽度为WOUT，则有：
可以通过增大C1，减小IDC，TR增大，从而使WOUT增大，实现一级低脉冲展宽，且对输入脉宽的没有要求，很窄的输入脉冲也能直接被展到很宽。图4是该单级宽脉宽产生电路的仿真波形。
从仿真结果可知，输入一个1ns的低脉冲经过该电路直接展宽为11ns，而且展宽的宽度可以根据具体的要求，通过调整IDC、C1实现。且通过设计高精度IDC可以使延长做的很精准。
3 结束语
本文设计的单级长延时产生电路，在TSMC0．35微米工艺得到验证，用了极小的版图面积。此长延时产生电路，对输入的低脉宽宽度没有任何要求，而且一次展宽到位。同时可以通过设计精准的电流源和利用工艺偏差比较小的电容提高精度。此电路运用在异步时序控制信号产生电路里非常实用，随温度变化和工艺角变化相对较小。
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