单片开关电源瞬态干扰抑制技术

为确保单片开关电源正常工作，必须在电路设计和制造工艺上采取相应措施，有效地抑制瞬态干扰及音频噪声，为此阐述其抑制方法与改进电路。

本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/171700.htm

关键词：单片开关电源 瞬态干扰 音频噪声 抑制 电磁兼容性

１ 抑制瞬态干扰

瞬态干扰会造成单片开关电源输出电压的波动；当瞬态电压叠加在整流滤波后的直流输入电压ＶＩ上，使ＶＩ超过内部功率开关管的漏－源击穿电压Ｖ（ＢＲ）ＤＳ时，还会损坏ＴＯＰＳｗｉｔｃｈ芯片，因此必须采用抑制措施。

阐述抑制瞬态干扰的方法。其改进电路如图２所示，主要做了以下改进：①将交流两线输入方式改成三线输入方式，Ｇ端接通大地；②采用两级电磁干扰（ＥＭＩ）滤波器，为避免两个ＥＭＩ滤波器在产生谐振时的干扰信号互相叠加，应使Ｌ２（Ｌ３）≤１０ｍＨ，Ｌ３≥２Ｌ２；③增加Ｃ９和Ｌ４，并将Ｃ８换成０．１μF普通电容器。C7～C9为安全电容，分别与高频变压器的引出端相连。其中，C7接初级直流高压的返回端，C8接次级返回端，C9接初级直流高压端。它们的共端则经过滤波电感L4接通大。L4用铁氧体磁环绕制而成。设计负印制板时，连接C7～C9的各条印制导线应短而宽。 采用上述连接方式可保证瞬态电流被C7～C9旁路掉，而不进入TOP202Y中。此外，反馈绕组接地端和C4的引出端，各经一条单独导线接TOP202Y的对应管脚。旁路电容C5直接跨在控制端与源极上，以减小控制端上的噪声电压。④增加电阻R6，其阻值范围在270～620Ω，它与光耦合器发射极相串联。当控制环路失控时，R6能限制峰值电流，使之小于芯片中关断触发器的关断电流。

２ 抑制音频噪声