基于温度补偿的无运放低压带隙基准源设计
2 改进的低电压带隙基准负载结构
由式(5)可得，要得到在一定温度范围内与温度零相关的基准电流I(T0)，电阻温度系数TCR必须满足：
通过调整电阻的阻值可达到上式要求，但在这种情况下，式(2)中的基准电压V(T0)就一定不与温度零相关，为了产生在一定温度范围内与温度无关的基准电压Iref，现引入了一种新的负载结构，图1中的负载电阻R4可改成如图2中R2的结构，基准电压Vref可以表示为：
由上可知，满足式(7)时，可以得到在一定温度范围内与温度零相关的基准电流I(T0)，要得到在一定温度范围内与温度无关的基准电压Vref，必须满足：
由于电压Vbe的温度系数室温下为-1．5 mV／K，所以要选择具有正温度系数的电阻以满足式(9)的要求。在CMOS工艺中的扩散电阻和阱电阻阻值是随着温度的升高而增大的，符合电路设计要求。本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/160474.htm
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