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基于温度补偿的无运放低压带隙基准源设计

作者:时间:2012-06-07来源:网络收藏


3 改进的无运放低电压带隙电路
为了使电路的功耗进一步降低,提出了一种无运放低电压电路,将图2中的负载结构放入该电路中,得到如图3中的改进的无运放带隙基准电路,此电路中流过节点X和Y的电流分别为sI,s为常数,其大小可通过改变相关MOS管的宽长比调节,令流过管M3a与管M4a的电流均为sk1I,流过管M3b与管M4b的电流均为sk2I,可通过调节k1与k2的值来调节流过电阻R4的电流,改进的带隙基准电路可以更好的调节电路中各支路电流的大小,从而可以更精确的得到需要的基准电流值和基准电压值。基准电流Iref和基准电压Vrer分别表示为:
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由式(10)和(11)可知,基准电压Vref和基准电流Iref有不同的方式,如果要求Vref和Iref同时与零相关,必须满足以下条件:
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式中VbG0约为1.25 V,对于所需要的基准电流值,根据式(15)可以更好地选择薄膜电阻值的大小。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/160474.htm

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4 电路仿真结果
本文的带隙基准源的整体版图如图4所示。

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