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灿芯研发出国际0.11微米和0.13微米工艺的USB 2.0 OTG PHY

作者:时间:2012-09-26来源:电子产品世界收藏

  国际领先的ASIC设计公司及一站式服务供应商,半导体(上海)有限公司(以下简称“半导体”)日前宣布基于中芯国际集成电路制造有限公司(简称“中芯国际”,纽约证交所股票代码:SMI,香港联合交易所股票代码:981)的0.11微米和0.13微米工艺平台成功开发了 2.0物理层设计(PHY),该设计为采用 2.0的器件提供了尺寸更小、性能更好以及更经济的解决方案。半导体的 2.0物理层设计同时支持器件和主机应用的On-The-Go(OTG)规范。为了取得比竞争对手的产品拥有更小的芯片尺寸和更低的功耗,灿芯半导体的工程师们在PLL、I/O和其它模块的设计上都做了极大的改善。该新的物理层设计结构也能加快USB物理层IP的开发用于中芯国际的更先进工艺制程。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/137231.htm

  “USB 2.0在SoC的设计中几乎是必须的”,灿芯半导体总裁兼首席执行官职春星博士说,“作为专注于SoC平台的设计服务公司,可靠的、自有的USB 2.0 IP是服务客户的关键。随着该技术的成功开发,我们现在已经拥有全系列的USB 2.0 IP”。

  中芯国际商务长季克非表示:“我们很高兴看到我们和灿芯半导体在USB 2.0物理层设计所取得的合作成果。对于大部分USB 2.0的应用,0.11微米和0.13微米仍是平衡各种因素最有利的工艺结点.现在中芯国际可以给客户提供更多USB IP的选择以便于客户实现他们的设计”。



关键词: 灿芯 USB

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