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LTPS、IGZO面板快速成长150%

—— 便携式设备可长时间使用而不用充电
作者:时间:2011-12-27来源:半导体制造收藏

  智能手机和平板计算机爆发式成长,使得LTPS(low temperature polysilicon低温多晶硅技术)和IGZO(indium gallium zinc oxide组成的非结晶氧化物半导体技术)等生产高分辨率显示器技术更为重要。这些TFT技术采用高移动速率半导体材料以减小TFT维度,提高光穿透率,使便携式设备可长时间使用而不用充电。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/127493.htm

  根据NPD DisplaySearch TFT LCD制程技术蓝图趋势报告,2012年高迁移率背板产量预计将提高150%,从2011年的560万平方米迅速发展到1410万平方米。如此高成长的驱动力主要在于许多五代线和更大的低温多晶硅(LTPS)产线于2012年开始投入生产,且夏普、乐金显示和三星现有的产线也投入生产仅属氧化物(IGZO)。

  平板显示获利压力大,厂商因而转投入快速发展的便携式应用,并积极寻求各种可降低成本的技术,NPD DisplaySearch制造领域研究副总Charles Annis表示。而所有的技术都在于如何提高的光穿透率。一般而言只有4-9%的背光能够穿过到前端显示屏,为达亮度指标会因此要求高强度的光源;另外,背光模块是大尺寸液晶模块中成本占比较高单一组件。因此,通过提高光穿透率,商就可以降低能耗和成本。

  厂商们期待真正好的新技术是能够提高光穿透率同时不降低良率。面板商和其供应商都在努力开发生产技术,力争取得竞争优势以提高2012年利润。目前看来,像金属氧化物(IGZO)这样的技术,一方面可提高面板性能一方面可降低成本,将使面板商到获取高度竞争优势,将有机会成为未来平板显示产业制造新标准。



关键词: 面板 TFT-LCD

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