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安森美半导体推出三款瞬态电压抑制器

—— 三款新器件为高速数据线路提供低钳位电压、最佳信号完整性的ESD保护
作者:时间:2011-09-20来源:电子产品世界收藏

  2011年9月20日 – 应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商半导体(ON Semiconductor)推出最新的高速数据线路用瞬态电压抑制器()。这三款新器件——、MG2040及ESD7104为高速数据及视频线路,以业界最低电容、最高信号完整性及低钳位电压提供静电放电(ESD)保护。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/123700.htm

  半导体保护产品分部副总裁兼总经理Gary Straker说:“随着消费类及计算机产品采用带宽更高的新接口,低电容及低钳位电压是确保稳定操作的关键。这些新器件的性能不仅领先业界,且节省空间成本,并简化设计而减少工程设计挫折,为工程师提供了极佳的ESD保护方案选择。”

  的设计旨在保护达4个高速差分对(8条线路),提供业界领先的ESD保护能力,以节省空间的封装设计提供仅为0.12皮法(pF)的极低输入/输出(I/O)至地电容。这新元件以流越型(flow-through) UDFN18封装来组装,配合简单的印制电路板(PCB)布线及匹配的走线长度以维持高速线路阻抗的一致性。提供领先业界的低电容确保超快接口能提供高信号完整性。它的新兴应用包括USB 3.0、V-by-One™及Thunderbolt (Light Peak),其中在USB 3.0应用中提供全集成方案,保护3个高速对及电源(Vcc)和识别(Iden)线路。ESD7008其它普及应用中也证明为极佳保护方案,包括HDMI™、DisplayPort及低压差分信令(LVDS)。

  MG2040瞬态电压抑制器的设计专门提供完整功能的集成ESD保护方案,保护多达14条线路,涵盖HDMI及Display接口的所有工作引脚。典型值0.35 pF(I/O至GND)的超低电容、流越型封装设计及低ESD钳位电压使MG2040非常适合保护对电压敏感的高速数据线路。MG2040在以单器件替代须使用多颗元件的应用,因而节省成本及电容板空间,同时提升性能。

  半导体推出的第三款新瞬态电压抑制器是ESD7104。这器件采用极节省空间的UDFN10封装,配合简单布线及匹配的高速差分线路之间的走线长度,用于USB 3.0、HDMI、Esata 3.0及DisplayPort等应用。ESD7104为多达4条线路提供低电容ESD保护,提供典型值0.3 pF的典型I/O至GND电容。

  安森美半导体这三款新的瞬态电压抑制器的工作结温范围为-55 ºC至+125 ºC。它们提供15千伏(kV)接触及空气放电保护,更胜IEC61000-4-2 (level 4)保护要求。这些器件每10,000片批量的单价在0.15美元至0.30美元。



关键词: 安森美 TVS ESD7008

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