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高k金属栅极晶体管 文章 进入高k金属栅极晶体管技术社区

英特尔新至强或将激发新一轮取代效应

  •   如果说在今年2月举行的半导体盛会ISSCC(国际固体电路会议)上,英特尔将首发论文聚焦于Westmere-EP,更多的意义是集中在学术交流与展示技术实力层面的话,那么3月17日,这款产品的正式发布则意味着这种创新技术将很快投向市场,实实在在地传递给企业用户了。   2009年,至强5500当之无愧地成为智能计算时代的开山产品,因其跨越性的技术进步引发了一轮服务器/工作站更新的热潮。作为其后继者,至强5600(研发代号为Westmere-EP)的问世无疑同样值得关注,它在产品特性以及用户价值方面有着哪
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英特尔22纳米制程技术最新动态

  •   2009年秋季英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum, IDF)于9月22日至24日在美国旧金山举行。今天,英特尔总裁兼首席执行官保罗•欧德宁(Paul Otellini)展示了世界上第一款基于22纳米制程技术的芯片。英特尔继续不懈地追求延续摩尔定律,让最终用户受益。两年前英特尔展示了基于前一代32纳米技术的测试电路,而此次峰会标志着第三代高k金属栅极晶体管的诞生。此次发布的22纳米技术表明摩尔定律继续有效,正在引领我们前行。 在处理器和其他逻辑芯片使用
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高k金属栅极晶体管介绍

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