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应用材料公司推出整合的高K介电常数

• 晶体管制造技术正迎来巨大的变化，栅极结构上新材料和新工艺的整合运用使芯片速度更快，功耗更低，从而使摩尔定律得以延续。近日，应用材料公司推出了一系列已被全面验证的生产工艺，帮助我们的客户在大规模生产中制造高K介电常数/金属栅极（HK/MG）结构。 从45纳米的逻辑芯片开始，由于晶体管的尺寸太小，传统的栅极材料无法使用，过多的漏电流使晶体管发热并消耗额外的能量。HK/MG结构可以降低栅极漏电流100多倍，并大大加快晶体管的开关速度。举个例子来说，如果2006年付运的所有微处理器都采用了HK/MG技术，那么一年
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