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CMOS可靠性测试新趋势：脉冲技术如何助力AI、5G、HPC？

• 对于研究半导体电荷捕获和退化行为来说，交流或脉冲应力对典型的应力测试是一个有用的补充。NBTI（负偏置温度不稳定性）和TDDB（随时间变化的介电击穿）试验包括应力/测量循环。所施加的应力电压通常是一个直流信号，使用它是因为它更容易映射到器件模型中。然而，结合脉冲应力测试提供了额外的数据，允许更好地理解依赖频率电路的器件性能。传统上，直流应力和测量技术被广泛用于表征CMOS晶体管的可靠性，如由沟道热载流子注入（HCI）和时间依赖性介电击穿（TDDB）引起的退化。然而，随着新的可靠性测试的发展，如金属氧化物半
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