- 在与台积电的竞争之路上，三星可谓频繁出招。除了3纳米导入全新GAAFET全环绕栅极电晶体架构，已成功量产，照三星半导体蓝图分析，2025年大规模量产2纳米，更先进1.4纳米预定2027年量产。韩国媒体The Elec报导，三星计划使用背面供电网络(BSPDN)技术用于2纳米芯片。研究员Park
Byung-jae在日前举行的三星技术论坛SEDEX
2022介绍BSPDN细节。从过去高K金属栅极技术到FinFET，接着迈向MBCFET，再到BSPDN，FinFET仍是半导体制程最主流技术，之前称为3
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三星 2纳米 背后供电技术
背后供电技术介绍
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