- 基于0.18 μm双极CMOS-DMOS（BCD）工艺，研究并实现了一种阳极和阴极两侧均加入硅化物阻挡层（SAB）的可控硅（SCR）器件，可用于高压静电放电保护（ESD）。利用二维器件仿真平台和传输线脉冲测试系统（TLP），预测和验证了SAB层对可控硅性能的影响。测量结果表明，在不增加器件面积的情况下，通过增加SAB层，器件的维持电压（Vh）可以从3.03 V提高到15.03 V。与传统SCR器件相比，带有SAB层的SCR器件（SCR_SAB）具有更高的维持电压。
- 关键字：
可控硅（SCR） 硅化物阻挡层（SAB） 仿真 传输线脉冲测试系统（TLP） 维持电压（Vh） 202109
- 非对称双向可控硅（ADDSCR）是在考虑了保护环结构之后，为使I-V特性曲线对称而设计的非对称结构，但是其维持电压较低，容易闩锁。为了提高传统ADDSCR的维持电压，基于0.18 μm BCD工艺，设计维持电压高的HHVADDSCR。经TCAD仿真，证明HHVADDSCR具有高维持电压，避免了闩锁，且器件适用于传输电平在18~60 V的芯片信号端口的静电保护。
- 关键字：
202107 非对称可控硅 维持电压 ESD 闩锁效应
维持电压（vh）介绍
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