- 应用直通矽晶穿孔(TSV)技术的三维积体电路(3DIC)为半导体业界提供全新境界的效率、功耗、效能及体积优势。然而，若要让3DIC成为主流，还必须执行许多基础的工作。电子设计自动化(EDA)业者提供周延的解决方案支援3DIC革命，包括类比与数位设计实现、封装与印刷电路板(PCB)设计工具。半导体厂可以运用这个解决方案，满足高效率设计应用TSV技术的3DIC的所有需求。
随着更高密度、更大频宽与更低功耗的需求日益增加，许多IC团队都在期待应用TSV技术的3DIC。3DIC以更小的体积容纳丰富的
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矽穿孔 3D
- 国研院今发表「积层型3D-IC」技术，可将讯号传输速度提升数百倍、耗能降低至少一半。预计今年便可运用在显示器上，未来将陆续与国内记忆体、面板及晶圆代工产业合作，估计技转金约需上亿元，是国研院截至目前为止的最高技转金额。
新世代要求多功能、可携式智慧行动装置，需要传输速度更快、更低耗能的晶片来处理，因此近年来积体电路(IC)制作渐由平面2DIC衍伸出立体结构的3DIC，藉由IC堆叠来缩短讯号传输距离。目前半导体厂制作3DIC主要是以「矽穿孔3D-IC技术」，将两块分别制作完成的IC晶片以垂直导线连
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矽穿孔 芯片
- 行动运算产品市场持续朝产品薄化方向设计，目前相关设计多使用整合晶片减少元件用量，对于异质核心的封装整合，若仍使用旧有的封装技术将会造成成品元件仍具一定程度占位面积，必须利用堆叠与更复杂的3DIC技术进行元件整合的积极微缩设计…
矽晶片的制程技术，一直是推进行动终端产品跃进式升级、改善的关键驱动力，以往透过SoC(systemonachip)将不同用途的异质核心进行整合，目前已经产生简化料件、缩减关键元件占位面积的目的，但随着使用者对于行动装置或可携式装置的薄化、小型化要求越来越高，
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3D 制程 矽穿孔
矽穿孔介绍
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