首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 相变存储技术

相变存储技术 文章 进入相变存储技术技术社区

IBM首席技术官:相变存储技术3-5年内实现商业化

  •   IBM公司系统与技术集团的首席技术官Jai Menon最近称非易失性相变内存(PCM)技术的芯片尺寸微缩能力将超越常规闪存芯片,并会在3-5年内在服务器机型上投入使用。Menon称IBM将继续开发自有PCM技术专利,不过专利开发完成后,IBM会寻找有能力为IBM制造PCM存储芯片的代工厂商并进行技术授权,最后再将代工厂生产的PCM 芯片用于IBM自己的服务器系统产品上。   
  • 关键字: IBM  相变存储技术  
共1条 1/1 1

相变存储技术介绍

  相变存储器(OUM)   奥弗辛斯基(Stanford   Ovshinsky)在1968年发表了第一篇关于非晶体相变的论文,创立了非晶体半导体学。一年以后,他首次描述了基于相变理论的存储器:材料由非晶体状态变成晶体,再变回非晶体的过程中,其非晶体和晶体状态呈现不同的反光特性和电阻特性,因此可以利用非晶态和晶态分别代表“0”和“1”来存储数据。后来,人们将这一学说称为奥弗辛斯基电子效应。相 [ 查看详细 ]

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473